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2022年半导体光刻胶行业研究报告
2022年半导体光刻胶行业研究报告
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2022年半导体光刻胶行业研究报告
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光刻胶作为光刻曝光的核心材料,其分辨率是光刻胶实现器件的关键尺寸(如器件线宽) 的衡量值,光刻胶分辨率越高形成的图形关键尺寸越小。对比度是指光刻胶从曝光区到非 曝光区过渡的陡度,对比度越高,形成图形的侧壁越陡峭,图形完成度更好。敏感度决定 了光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。抗蚀性决定了光刻胶作为 覆盖物在后续刻蚀或离子注入工艺中,不被刻蚀或抗击离子轰击,从而保护被覆盖的衬底。
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中国光刻胶行业产业链上游参与者为溶剂、树脂、光敏剂等各类原材料供应商和 光刻机、显影机、检测与测试等设备供应商。溶剂、树脂、光敏剂是光刻胶生产的主 要原材料,其中光敏剂在光刻胶生产总成本中占比达到 60%。根据在光刻胶行业有多 年市场运营经验的专家表示,在溶剂方面,中国仅有小部分企业从事研发和生产光刻 胶溶剂,但溶剂生产量供不应求,无法满足中国光刻胶制造商的需求。在树脂方面, 中国处于起步发展阶段
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光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,最终得到所需图像。 光刻胶一般由 4 部分组成:溶剂(solvent),树脂型聚合物(resin/polymer),光引发剂(photoactive compound,PAC),添加剂(Addi
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按照化学结构分类;光刻胶可以分为光聚合型,光分解型,光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单 体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物;光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物(DQN) 材料作为感光剂,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性光刻胶;光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为 光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻
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光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要 的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路 的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 LED、光 伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光 刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单 体约占 3
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