15P10PL-VB TO220一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
15P10PL-VB TO220;Package:TO220;Configuration:Single-P-Channel;VDS:-100V;VGS:20(±V);Vth:-2V;RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V;ID:-23A;Technology:Trench; ### 15P10PL-VB TO220 P-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 15P10PL-VB TO220 是一款采用 TO220 封装的单通道 P-Channel 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有以下特点: - **无卤素**:根据IEC 61249-2-21定义标准,符合环保要求。 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**:提供高效率和低损耗特性。 - **全面测试**:所有器件都经过了栅极电阻(Rg)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,确保产品性能可靠。 - **符合RoHS指令**:符合2002/95/EC欧盟有害物质限制指令。 #### 主要规格参数 | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |-----------------------|----------|--------|--------|--------|-------| | 排放电压(漏-源) | VDS | - | - | -100 | V | | 门极-源极电压 | VGS | - | - | ±20 | V | | 漏极-源极阈值电压 | Vth | - | -1 | -2.5 | V | | 导通电阻 | RDS(ON) | - | - | 120 | mΩ @ VGS=4.5V | | | | - | - | 100 | mΩ @ VGS=10V | | 连续漏极电流 | ID | - | - | -23 | A | | 漏极电荷 | Qg | - | - | 11.7 | nC @ VDS=-100V | #### 绝对最大额定值 | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 | |---------------------------------|---------|--------|------| | 漏-源电压(最大) | VDS | -100 | V | | 门-源电压(最大) | VGS | ±20 | V | | 连续漏极电流(Tj=150°C时) | CID | -23 | A | | 脉冲漏极电流 | IP | -70 | A | | 雪崩电流 | IA | -18 | A | | 单次雪崩能量 | EL | 16.2 | mJ | | 最大功率耗散(Tc=25°C时) | PD | 52.1 | W | | 结温范围 | TJ | -55 | °C | | 工作温度范围 | Tstg | 150 | °C | #### 热阻 | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 | |---------------------------|----------|--------|------| | 结到环境热阻(PCB安装) | RthJA | 50 | °C/W | | 结到外壳热阻(漏极) | RthJC | 3.91 | °C/W | #### 应用场景 - **电源开关**:适用于需要快速开关操作的应用场景。 - **DC/DC转换器**:用于各种电源管理电路中的高效能开关元件。 - **电机控制**:用于控制直流电机的启动、停止以及速度调节。 - **负载切换**:用于高功率负载的快速切换,如灯具控制等。 #### 测试条件 在标准温度为25°C的环境下进行各项测试,具体包括但不限于: - **静态参数**:如VDS、Vth等。 - **动态参数**:如导通电阻RDS(ON)、漏极电荷Qg等。 #### 使用注意事项 - 在使用过程中应避免超过绝对最大额定值,否则可能损坏设备。 - 确保散热条件良好,特别是当工作于高电流或高频率条件下时。 - 考虑到温度对性能的影响,在设计时需注意热设计的要求。 - 对于长时间连续工作的应用,建议使用低于最大连续电流值以增加安全裕量。 15P10PL-VB TO220是一款高性能、环保型的P-Channel MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用。通过其先进的制造工艺和严格的测试标准,确保了产品的可靠性及高效能表现。
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