15P10PL-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-100V；VGS：20（±V）；Vth：-2V；RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V；ID：-23A；Technology：Trench；
### 15P10PL-VB TO220 P-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
15P10PL-VB TO220 是一款采用 TO220 封装的单通道 P-Channel 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有以下特点：
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义标准，符合环保要求。
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：提供高效率和低损耗特性。
- **全面测试**：所有器件都经过了栅极电阻（Rg）和UIS（Unclamped Inductive Switching）测试，确保产品性能可靠。
- **符合RoHS指令**：符合2002/95/EC欧盟有害物质限制指令。
#### 主要规格参数
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|-----------------------|----------|--------|--------|--------|-------|
| 排放电压（漏-源） | VDS | - | - | -100 | V |
| 门极-源极电压 | VGS | - | - | ±20 | V |
| 漏极-源极阈值电压 | Vth | - | -1 | -2.5 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | - | - | 120 | mΩ @ VGS=4.5V |
| | | - | - | 100 | mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 | ID | - | - | -23 | A |
| 漏极电荷 | Qg | - | - | 11.7 | nC @ VDS=-100V |
#### 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---------------------------------|---------|--------|------|
| 漏-源电压（最大） | VDS | -100 | V |
| 门-源电压（最大） | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（Tj=150°C时） | CID | -23 | A |
| 脉冲漏极电流 | IP | -70 | A |
| 雪崩电流 | IA | -18 | A |
| 单次雪崩能量 | EL | 16.2 | mJ |
| 最大功率耗散（Tc=25°C时） | PD | 52.1 | W |
| 结温范围 | TJ | -55 | °C |
| 工作温度范围 | Tstg | 150 | °C |
#### 热阻
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---------------------------|----------|--------|------|
| 结到环境热阻（PCB安装） | RthJA | 50 | °C/W |
| 结到外壳热阻（漏极） | RthJC | 3.91 | °C/W |
#### 应用场景
- **电源开关**：适用于需要快速开关操作的应用场景。
- **DC/DC转换器**：用于各种电源管理电路中的高效能开关元件。
- **电机控制**：用于控制直流电机的启动、停止以及速度调节。
- **负载切换**：用于高功率负载的快速切换，如灯具控制等。
#### 测试条件
在标准温度为25°C的环境下进行各项测试，具体包括但不限于：
- **静态参数**：如VDS、Vth等。
- **动态参数**：如导通电阻RDS(ON)、漏极电荷Qg等。
#### 使用注意事项
- 在使用过程中应避免超过绝对最大额定值，否则可能损坏设备。
- 确保散热条件良好，特别是当工作于高电流或高频率条件下时。
- 考虑到温度对性能的影响，在设计时需注意热设计的要求。
- 对于长时间连续工作的应用，建议使用低于最大连续电流值以增加安全裕量。
15P10PL-VB TO220是一款高性能、环保型的P-Channel MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。通过其先进的制造工艺和严格的测试标准，确保了产品的可靠性及高效能表现。
