08CNE8N-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：80V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：100A；Technology：Trench；
### 08CNE8N-VB TO220 N-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
08CNE8N-VB TO220 是一款采用 TO220 封装的 N-Channel MOSFET 晶体管。该器件具有以下特性：
- **技术类型**：TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。
- **最大工作电压**：VDS = 80V。
- **栅极至源极电压**：VGS 最大为 ±20V。
- **阈值电压**：Vth = 3V。
- **导通电阻**：RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 时为 9mΩ，在 VGS = 10V 时为 7mΩ。
- **最大连续电流**：ID = 100A。
#### 绝对最大额定值
在环境温度为 25°C 时，08CNE8N-VB TO220 的绝对最大额定值如下：
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|-----------------------------------------|--------|------|------|
| 排-源电压 | VDS | 80 | V |
| 栅-源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续排电流（TJ = 150°C） | IDTC | 70 | A |
| 脉冲排电流（t = 100 μs） | IDM | 350 | A |
| 连续源-排二极管电流 | IS | 4.5 | A |
| 单脉冲雪崩电流 | IAS | 30 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 45 | mJ |
| 最大功率耗散 | PD | 180 | W |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | °C |
#### 热阻参数
热阻参数对于了解器件在不同条件下的温度表现非常重要。08CNE8N-VB TO220 的热阻参数如下：
| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|------------------------------------------|---------|------|------|-----|
| 结到环境的热阻（最大）（脉冲测试时间 ≤ 10 秒） | RthJA | 15 | 18 | °C/W |
| 结到壳的热阻 | RthJC | 0.85 | 1.1 | °C/W |
#### 电气特性
在 25°C 的工作结温下，08CNE8N-VB TO220 的主要电气特性包括：
- **静态参数**：
- 排-源击穿电压：VGS = 0V 时，ID = 250μA 下的 VDS 值为 80V。
- VDS 温度系数：ID = 2。
- **动态参数**：
- 导通电阻 RDS(ON) 在 VGS = 10V 时为 7mΩ，而在 VGS = 4.5V 时为 9mΩ。
#### 应用领域
08CNE8N-VB TO220 的典型应用包括：
- **初级侧开关**：适用于电源转换器中的初级侧开关应用。
- **同步整流**：用于提高效率并减少功耗。
- **DC/AC 变换器**：可用于各种工业和消费类应用中的直流到交流转换。
- **LED 背光驱动**：适用于显示器和其他 LED 照明设备。
#### 注意事项
- 使用过程中应避免超过“绝对最大额定值”列表中规定的应力，这些是应力额定值，并不意味着在超出规格操作区段的功能操作。
- 长期暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。
#### 结论
08CNE8N-VB TO220 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET，特别适合用于需要高效开关性能的应用中。其具备的 TrenchFET 技术确保了低导通电阻和高开关速度，同时保持较低的热阻，使得它成为多种电力电子应用的理想选择。
