110N20N-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：4V；RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V；ID：100A；Technology：Trench；
根据给定的信息，我们可以深入探讨110N20N-VB TO220这款N-Channel沟道TO220封装MOS管的关键技术特点、应用领域以及具体参数。
### 一、产品概述
#### 1.1 基本特性
110N20N-VB TO220是一款N-Channel沟道功率MOSFET，采用TO220封装形式。其最大工作温度可达175°C，并且通过了100% Rg和UIS测试，确保了产品的可靠性和稳定性。
#### 1.2 封装与配置
- **封装**: TO220，这是一种常见的表面安装技术(SMT)封装，适用于高功率应用。
- **配置**: Single-N-Channel，表明该MOSFET为单一通道结构，仅含有一个N型沟道。
#### 1.3 关键电气参数
- **最大工作电压** (VDS): 200V，这是漏极至源极之间的最大允许电压。
- **最大工作电流** (ID): 100A，在特定条件下可承载的最大连续电流。
- **阈值电压** (Vth): 4V，开启电压，即当VGS达到此电压时，MOSFET开始导通。
- **导通电阻** (RDS(ON)): 在VGS=10V时，RDS(ON)为7.6mΩ，这表示在正常工作电压下，导通状态下的电阻非常低，有利于减小功耗和发热。
- **输入电荷** (Qg): 58nC，输入电荷反映了栅极驱动所需的能量大小。
### 二、应用范围
110N20N-VB TO220广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- **不间断电源** (UPS): 提供稳定的电源供应。
- **交流/直流转换器** (AC/DC): 用于电源适配器、充电器等。
- **同步整流器**: 提高效率，减少热损耗。
- **直流/直流转换器** (DC/DC): 如用于笔记本电脑电源管理。
- **电机驱动开关**: 控制电机的启动、停止及速度调节。
- **直流/交流逆变器** (DC/AC): 将直流电转换为交流电，如太阳能发电系统中的微逆变器。
- **D类音频放大器**: 高效的音频功率放大器。
### 三、绝对最大额定值
了解绝对最大额定值对于正确选择和使用MOSFET至关重要，这些值代表了器件能够承受的最大极限条件：
- **漏极-源极电压** (VDS): 200V
- **栅极-源极电压** (VGS): ±20V
- **连续漏极电流** (ID): 100A (25°C)
- **脉冲漏极电流** (IDM): 300A (t=100μs)
- **连续源极-漏极二极管电流** (IS): 100A
- **单脉冲雪崩电流** (IL): 0.1mA
- **单脉冲雪崩能量** (EAS): 180mJ
- **最大耗散功率** (PD): 375W (25°C)
- **工作结温范围** (TJ): -55°C ~ +175°C
### 四、热阻抗
热阻抗是衡量热量从MOSFET内部传导到外部环境能力的指标，对于散热设计非常重要：
- **结到外壳的热阻抗** (RthJC): 0.6°C/W
- **PCB安装时的结到环境热阻抗** (RthJA): 40°C/W
### 五、注意事项
- 超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏。
- 这些额定值仅作为极限条件，不保证在所有操作条件下的功能性能。
- 长时间暴露于绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
110N20N-VB TO220是一款高性能、高可靠性的N-Channel沟道TO220封装MOSFET，适用于多种电力电子设备，具备优秀的电气特性和良好的热管理性能。
