107N20N-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：4V；RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=10V；ID：100A；Technology：Trench；
### 107N20N-VB N-Channel TO263 MOSFET 参数介绍与应用说明
#### 概述
107N20N-VB 是一款高性能的N-通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TO263封装形式，具有低导通电阻、高工作温度等特点。该器件适用于多种电源管理和转换应用，如不间断电源系统（UPS）、开关电源、同步整流器等。
#### 特点
- **ThunderFET®功率MOSFET**：采用了先进的ThunderFET技术，能够提供更高的效率和更快的开关速度。
- **最高175°C结温**：能够在高达175°C的工作温度下正常运行，适用于高温环境下的应用。
- **100% Rg和UIS测试**：确保了器件在生产过程中经过了严格的栅极电阻（Rg）和无源关断（UIS）测试，提高了产品的可靠性和一致性。
#### 应用范围
107N20N-VB 可广泛应用于以下领域：
- **电源供应**：包括不间断电源系统（UPS）、AC/DC开关模式电源、照明等。
- **同步整流**：用于提高转换效率，减少能量损失。
- **DC/DC转换器**：用于电压调节或电源管理。
- **电机驱动开关**：适用于控制电机的启动、停止以及速度调整。
- **DC/AC逆变器**：将直流电转换为交流电。
- **太阳能微逆变器**：用于小型太阳能发电系统中的电能转换。
- **Class D音频放大器**：用于高保真音频设备。
#### 产品概览
- **最大漏源电压 (VDS)**：200V
- **典型导通电阻 (RDS(on))**：当 VGS = 10V 时，RDS(on) 典型值为 0.0076Ω；当 VGS = 7.5V 时，RDS(on) 典型值为 0.0086Ω。
- **总栅极电荷 (Qg)**：典型值为 58nC
- **连续漏极电流 (ID)**：100A
- **配置**：单通道
- **封装**：TO-263
- **绝对最大额定值**
- **漏源电压 (VDS)**：200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **连续漏极电流 (ID)**：在25°C环境下，连续漏极电流可达100A；在125°C环境下，连续漏极电流降低至62A。
- **脉冲漏极电流 (IDM)**：300A（100μs）
- **连续源漏二极管电流 (IS)**：100A
- **单脉冲雪崩电流 (ILA)**：60A（单脉冲雪崩电流）
- **单脉冲雪崩能量 (EAS)**：180mJ
- **最大功耗**：在25°C环境下，最大功耗可达375W；在125°C环境下，最大功耗降至125W。
- **工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg)**：-55°C 至 +175°C
- **焊接推荐温度**：峰值温度260°C
#### 热阻特性
- **最大结到外壳热阻 (RthJC)**：稳态条件下，最大结到外壳热阻为0.41°C/W。
- **最大结到环境热阻 (RthJA)**：当安装于1英寸平方的PCB（FR4材质）上时，最大结到环境热阻为40°C/W。
#### 总结
107N20N-VB是一款性能优异的N-通道MOSFET，不仅具有较低的导通电阻，还支持较高的工作温度，适用于各种电源管理和转换应用。其绝对最大额定值和热阻特性表明，该器件可以在较为苛刻的环境中稳定工作，并且能够在不超出推荐的最大功耗和温度范围内保持良好的性能表现。此外，该MOSFET还具备一定的雪崩耐受能力，使其在某些应用中更加可靠。
