09N20H-LF-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
09N20H-LF-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:200V;VGS:20(±V);Vth:3V;RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V;ID:10A;Technology:Trench; ### 09N20H-LF-VB:N-Channel沟道TO252封装MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 09N20H-LF-VB是一款高性能、单通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),该器件采用TO252封装形式。该器件具有以下特点: - **TrenchFET® Power MOSFET技术**:提供低导通电阻(RDS(on))和高效率。 - **工作结温高达175°C**:适用于高温环境下的稳定工作。 - **PWM优化设计**:适用于脉宽调制(PWM)控制电路,实现高效能转换。 - **RoHS合规性**:符合欧盟关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令2002/95/EC。 #### 主要参数 - **最大漏源电压(VDS)**:200V - **最大栅源电压(VGS)**:±20V - **阈值电压(Vth)**:3V - **导通电阻(RDS(on))**:245mΩ @ VGS=10V - **连续漏极电流(ID)**:10A #### 技术特点 - **封装形式**:TO252 - **工艺技术**:沟槽(Trench) - **工作温度范围**:-55°C 至 +175°C - **绝对最大额定值**包括但不限于: - 最大漏源电压为200V - 最大栅源电压为±20V - 连续漏极电流最大为71A (当结温为175°C时) 和10A (当环境温度为25°C时) - 脉冲漏极电流最大为200A - 单次脉冲雪崩能量最大为18mJ - 最大功率耗散为96W (环境温度为25°C) #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**:200V - **栅源电压(VGS)**:±20V - **连续漏极电流(ID)**:最大为71A (结温175°C) / 10A (环境温度25°C) - **脉冲漏极电流(IDM)**:最大为200A - **连续源极电流(IS)**:最大为6A - **雪崩电流(IA)**:最大为6A - **单次脉冲雪崩能量(EA)**:最大为18mJ - **最大功率耗散(PD)**:最大为96W (环境温度25°C) - **工作温度范围(TJ, Tstg)**:-55°C 至 +175°C - **热阻**: - 结到环境温度(θJA):15至18°C/W - 结到壳温度(θJC):0.85至1.10°C/W #### 测试条件 - **漏源击穿电压(VDS)**:在VGS=0V、ID=250μA条件下测试,最小值为200V。 - **栅阈电压(VGS(th))**:在VDS=VGS、ID=250μA条件下测试,最小值为2V。 - **栅体泄漏电流(IGSS)**:在VDS=0V、VGS=±20V条件下测试,最大值为±100nA。 - **零栅压漏电流(IDSS)**:在VDS=200V、VGS=0V条件下测试,最大值为1μA。 #### 应用领域 - **电源转换器**:适用于DC/DC转换器、开关电源等。 - **电机驱动**:用于驱动直流电机或步进电机。 - **照明控制**:用于LED驱动器和其他照明控制系统。 - **过流保护**:作为过流保护元件,保护电路免受过载损害。 - **汽车电子**:适用于汽车电源系统、车载充电器等领域。 - **工业自动化**:适用于各种工业控制设备中的开关应用。 #### 结论 09N20H-LF-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel沟道TO252封装MOSFET,适用于多种电源管理应用场景。其独特的特性使其成为需要高效能和高可靠性解决方案的理想选择。无论是设计小型便携式设备还是大型工业系统,这款MOSFET都能满足不同的需求,并提供出色的性能表现。
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