082N10LS-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：1~3V；RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V；ID：100A；Technology：Trench；
### 082N10LS-VB MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、概述
082N10LS-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用DFN8(5x6)封装形式。此款晶体管的主要特性包括高耐压（100V）、低导通电阻（RDS(ON)最低可达5mΩ）以及适用于高速开关应用。下面将详细介绍该MOSFET的技术规格、关键参数及其典型应用。
#### 二、技术特点与参数
**1. TrenchFET® Power MOSFET技术**
- **技术特点**：082N10LS-VB采用了TrenchFET®技术，这是一种先进的MOSFET制造工艺，通过在沟道区域构建深沟槽来显著降低导通电阻（RDS(ON)），从而减少功率损耗，提高效率。
**2. 极限参数**
- **最大工作电压**：VDS（Drain-to-Source Voltage）为100V，即漏极至源极的最大承受电压为100V。
- **最大栅极电压**：VGS（Gate-to-Source Voltage）为±20V，表示栅极相对于源极的最大正负电压为20V。
- **阈值电压**：Vth为1V~3V之间，意味着当栅极电压达到1V至3V时，MOSFET开始导通。
- **导通电阻**：RDS(ON)在不同栅极电压下的值有所不同，在VGS=4.5V时为6mΩ，在VGS=10V时降至5mΩ。
- **最大连续电流**：ID为100A，即在指定条件下的最大允许连续电流。
- **温度范围**：操作结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。
**3. 关键参数详解**
- **RDS(ON)**：导通状态下漏极到源极之间的电阻，是衡量MOSFET性能的重要指标之一。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下损耗更小。
- **ID**：最大允许连续电流。该参数对于设计电路时选择合适的散热方式至关重要。
- **VDS**：最大允许的漏源电压，决定了MOSFET可以承受的最高电压等级。
- **VGS**：最大允许的栅源电压，直接影响了MOSFET的驱动方式和兼容性。
- **Vth**：阈值电压，即开始导通所需的最小栅源电压。
**4. 绝对最大额定值**
- **绝对最大额定值**是指器件能够承受而不损坏的最大极限值。例如：
- 最大漏源电压（VDS）：100V。
- 最大栅源电压（VGS）：±20V。
- 连续漏极电流（ID）：95A（TJ=150°C）。
- 脉冲漏极电流（IDM）：250A（t=100μs）。
**5. 热性能**
- **热阻**：RthJA（Junction-to-Ambient Thermal Resistance）为20°C/W至25°C/W，表示芯片结温与环境温度之间的热阻。
- **最大功率耗散**：PD（Power Dissipation）为100W（TJ=70°C）。
#### 三、应用领域
**1. 隔离式DC/DC转换器**
- 082N10LS-VB适用于高频隔离式DC/DC转换器，其低导通电阻特性有助于提高转换效率。
**2. 其他应用**
- 由于其出色的电气性能，082N10LS-VB还可应用于电源管理、电机控制、逆变器等多种场合。
#### 四、封装及安装指南
**1. 封装类型**
- DFN8(5x6)封装，是一种无引脚表面贴装技术（SMT），具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。
**2. 安装建议**
- 在安装时需确保散热良好，以避免因过热导致的性能下降或损坏。
- 使用适当的焊接温度（峰值温度建议为260°C）进行焊接，以避免对器件造成热损伤。
#### 五、总结
082N10LS-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，采用了先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻、高耐压等特点。该器件适用于各种高速开关应用，如隔离式DC/DC转换器等。通过详细了解其技术参数和应用领域，可以帮助工程师更好地利用这款MOSFET来优化电路设计。
