165N10F4-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
165N10F4-VB TO220;Package:TO220;Configuration:Single-N-Channel;VDS:100V;VGS:20(±V);Vth:3V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;ID:120A;Technology:Trench; ### 165N10F4-VB TO220 晶体管参数与应用说明 #### 一、概述 165N10F4-VB TO220是一款采用TO220封装的单通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此款晶体管的主要特性包括最大工作温度为175°C,100%经过Rg和UIS测试,以及具有低导通电阻(RDS(ON))等特点。它属于ThunderFET®系列,适用于需要高性能、高可靠性的电子设备。 #### 二、技术规格 - **封装**: TO220 - **配置**: 单N沟道 - **最大工作温度(Tj)**: 175°C - **测试条件(Tc)**: 25°C - **VDS**: 100V (Drain-Source电压) - **VGS**: ±20V (Gate-Source电压) - **Vth**: 3V (门极阈值电压) - **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS=10V (导通电阻) - **ID**: 120A (连续漏极电流) - **Technology**: Trench (沟槽技术) #### 三、绝对最大额定值 这些额定值表示了该晶体管能够承受的最大极限值。超过这些值可能会导致永久性损坏。 - **VDS**: 100V (Drain-Source电压) - **VGS**: ±20V (Gate-Source电压) - **ID**: 120A (连续漏极电流,在Tj=150°C时) - **IDM**: 480A (脉冲漏极电流,t=100μs) - **IAS**: 73A (雪崩电流) - **EAS**: 266mJ (单次雪崩能量) - **PD**: 370W (最大功率耗散) - **TJ, Tstg**: -55°C 至 +175°C (工作结温范围) - **RthJA**: 40°C/W (结到环境热阻) - **RthJC**: 0.4°C/W (结到外壳热阻) #### 四、静态参数 - **VDS(Breakdown)**: 100V (当VGS=0V且ID=250μA时) - **VGS(th)**: 2.5V 至 4V (当VDS=VGS且ID=250μA时) - **IGSS**: ±250nA (当VDS=0V,VGS=±20V时) - **IDSS**: 1μA (当VDS=100V且VGS=0V时) #### 五、动态特性 - **Ciss**: 输入电容 (在特定频率下的测量值) - **Crss**: 反向传输电容 (在特定频率下的测量值) - **Coss**: 输出电容 (在特定频率下的测量值) - **td(off)**: 关断延迟时间 - **tr**: 上升时间 - **tf**: 下降时间 - **td(on)**: 开通延迟时间 #### 六、性能特点 - **低导通电阻**: 5mΩ @ VGS=10V - **高电流能力**: 120A (连续) - **高耐压**: 100V - **低栅极电荷**: 改善了开关性能 - **高可靠性**: 经过严格的测试标准 #### 七、应用领域 - **电源转换器**: 如DC-DC转换器 - **电机驱动**: 高功率电机控制 - **逆变器**: 用于太阳能或风能系统 - **电池管理系统**: 对电池进行充放电管理 - **UPS系统**: 不间断电源 - **开关电源**: 如适配器和充电器 #### 八、注意事项 - **应力限制**: 超过绝对最大额定值可能造成永久性损坏。 - **工作条件**: 设备在超出操作部分规定的任何其他条件下运行不被保证。 - **热设计**: 在设计电路板布局时应考虑散热问题,确保晶体管在安全的温度范围内工作。 - **安装**: 使用适当的散热片可以提高晶体管的工作效率和寿命。 - **脉冲宽度**: 脉冲测试时脉冲宽度不超过300μs,占空比不超过2%。 165N10F4-VB TO220是一款性能优异的N沟道MOSFET,适用于各种高压、大电流的应用场景,特别是在需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。
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