165N10F4-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V；ID：120A；Technology：Trench；
### 165N10F4-VB TO220 晶体管参数与应用说明
#### 一、概述
165N10F4-VB TO220是一款采用TO220封装的单通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此款晶体管的主要特性包括最大工作温度为175°C，100%经过Rg和UIS测试，以及具有低导通电阻(RDS(ON))等特点。它属于ThunderFET®系列，适用于需要高性能、高可靠性的电子设备。
#### 二、技术规格
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **最大工作温度(Tj)**: 175°C
- **测试条件(Tc)**: 25°C
- **VDS**: 100V (Drain-Source电压)
- **VGS**: ±20V (Gate-Source电压)
- **Vth**: 3V (门极阈值电压)
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS=10V (导通电阻)
- **ID**: 120A (连续漏极电流)
- **Technology**: Trench (沟槽技术)
#### 三、绝对最大额定值
这些额定值表示了该晶体管能够承受的最大极限值。超过这些值可能会导致永久性损坏。
- **VDS**: 100V (Drain-Source电压)
- **VGS**: ±20V (Gate-Source电压)
- **ID**: 120A (连续漏极电流，在Tj=150°C时)
- **IDM**: 480A (脉冲漏极电流，t=100μs)
- **IAS**: 73A (雪崩电流)
- **EAS**: 266mJ (单次雪崩能量)
- **PD**: 370W (最大功率耗散)
- **TJ, Tstg**: -55°C 至 +175°C (工作结温范围)
- **RthJA**: 40°C/W (结到环境热阻)
- **RthJC**: 0.4°C/W (结到外壳热阻)
#### 四、静态参数
- **VDS(Breakdown)**: 100V (当VGS=0V且ID=250μA时)
- **VGS(th)**: 2.5V 至 4V (当VDS=VGS且ID=250μA时)
- **IGSS**: ±250nA (当VDS=0V，VGS=±20V时)
- **IDSS**: 1μA (当VDS=100V且VGS=0V时)
#### 五、动态特性
- **Ciss**: 输入电容 (在特定频率下的测量值)
- **Crss**: 反向传输电容 (在特定频率下的测量值)
- **Coss**: 输出电容 (在特定频率下的测量值)
- **td(off)**: 关断延迟时间
- **tr**: 上升时间
- **tf**: 下降时间
- **td(on)**: 开通延迟时间
#### 六、性能特点
- **低导通电阻**: 5mΩ @ VGS=10V
- **高电流能力**: 120A (连续)
- **高耐压**: 100V
- **低栅极电荷**: 改善了开关性能
- **高可靠性**: 经过严格的测试标准
#### 七、应用领域
- **电源转换器**: 如DC-DC转换器
- **电机驱动**: 高功率电机控制
- **逆变器**: 用于太阳能或风能系统
- **电池管理系统**: 对电池进行充放电管理
- **UPS系统**: 不间断电源
- **开关电源**: 如适配器和充电器
#### 八、注意事项
- **应力限制**: 超过绝对最大额定值可能造成永久性损坏。
- **工作条件**: 设备在超出操作部分规定的任何其他条件下运行不被保证。
- **热设计**: 在设计电路板布局时应考虑散热问题，确保晶体管在安全的温度范围内工作。
- **安装**: 使用适当的散热片可以提高晶体管的工作效率和寿命。
- **脉冲宽度**: 脉冲测试时脉冲宽度不超过300μs，占空比不超过2%。
165N10F4-VB TO220是一款性能优异的N沟道MOSFET，适用于各种高压、大电流的应用场景，特别是在需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。
