068N10N-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
068N10N-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:100V;VGS:20(±V);Vth:2.5V;RDS(ON)=10.5mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V;ID:85A;Technology:Trench; ### 068N10N-VB MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明 #### 一、概述 068N10N-VB是一款N-Channel沟道TO252封装的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和功率转换领域。其主要特性包括:最大工作电压为100V,最大连续工作电流可达85A,在不同门极驱动电压下具有低导通电阻等特点。 #### 二、关键参数解析 ##### 1. **绝对最大额定值** - **VDS (Drain-Source Voltage)**:表示源极和漏极之间的最大电压,本款MOSFET的最大VDS为100V。 - **VGS (Gate-Source Voltage)**:门极与源极之间可承受的最大电压,本型号的最大VGS为±20V。 - **ID (Continuous Drain Current)**:在特定结温下(TJ=150°C时为85A,TJ=125°C时为75A),漏极能连续承载的最大电流。 - **Pulsed Drain Current (IP)**:峰值脉冲漏极电流,本型号为300A。 - **Avalanche Current (IAV)**:雪崩电流,定义为在特定条件下MOSFET能够承受的最大反向电流冲击,本型号为75A。 - **Single Pulse Avalanche Energy (EA)**:单次脉冲雪崩能量,即在单个脉冲期间MOSFET能吸收的最大能量,本型号为280mJ。 - **Maximum Power Dissipation (PD)**:最大耗散功率,在环境温度为25°C时为176W,在环境温度为25°C且安装于1英寸x1英寸FR4板上时为3.75W。 - **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)**:工作结温和存储温度范围分别为-55°C至175°C。 ##### 2. **导通电阻(RDS(ON))** - **VGS=4.5V**:在门极电压为4.5V时,导通电阻为10.5mΩ。 - **VGS=10V**:在门极电压为10V时,导通电阻为8.5mΩ。 ##### 3. **热阻** - **Junction-to-Ambient (RthJA)**:结到环境的热阻,典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。 - **Junction-to-Case (RthJC)**:结到壳体的热阻,典型值为0.85°C/W,最大值为1.1°C/W。 #### 三、特点 - **TrenchFET® Power MOSFET**:采用沟槽式结构,有效降低导通电阻,提高开关性能。 - **100% Rg Tested**:每个器件均经过栅极电阻测试,确保一致性和可靠性。 - **100% UIS Tested**:所有产品都进行了不连续短路测试,保证在非理想条件下的稳定工作能力。 #### 四、应用领域 - **Primary Side Switch**:主要用于开关电源的初级侧,作为主开关管使用。 - **Isolated DC/DC Converter**:在隔离式直流变换器中作为功率开关元件。 #### 五、注意事项 - 超过“绝对最大额定值”的应力可能会导致设备永久损坏。这些是应力等级而非功能操作等级。 - 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。 #### 六、总结 068N10N-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,适用于各种高功率密度应用场合,如电源管理、电机驱动和DC/DC转换等。通过优化的结构设计,不仅具有较低的导通电阻,还具备良好的热性能和可靠性,能够满足严苛的工作环境要求。
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