QM4306S-VB一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
### QM4306S-VB:一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管 #### 概述 QM4306S-VB是一款采用SOP8封装技术的N+P-Channel场效应晶体管(MOSFET),其设计符合环保标准,不含卤素,并且满足RoHS指令2002/95/EC的要求。该MOSFET具有双通道结构,分别提供N-Channel和P-Channel版本,最大耐压为±40V,适用于各种电机驱动应用。 #### 特性 - **环保材料**:根据IEC 61249-2-21定义,该MOSFET采用无卤素材料制造。 - **TrenchFET® 技术**:利用先进的TrenchFET®技术,提高了效率并降低了导通电阻。 - **全面测试**:所有器件均经过100%的Rg和UIS测试,确保产品质量稳定可靠。 - **RoHS合规**:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,确保产品环保安全。 #### 应用场景 - **电机驱动**:适合用于各种电机驱动应用,如直流电机、步进电机等。 - **电源管理**:可用于电源开关、电源转换器等设备中的电流控制。 - **汽车电子**:适用于汽车电子系统中的电机控制和电源管理系统。 - **工业自动化**:在工业自动化领域,如机器人控制系统、传感器接口等方面也有广泛的应用。 #### 产品概述 | 参数 | 符号 | 测试条件 | 型号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | ID | - | VGS = 10V | N-Channel | 13.3 | 7.6 | A | | Qg (Typ.) | 0.015 | VGS = 10V | N-Channel | - | - | nC | | VGS(th) | ±1.8 | - | N-Channel | - | - | V | | ID | - | VGS = -10V | P-Channel | 13 | -6.8 | A | | Qg (Typ.) | 0.017 | VGS = -10V | P-Channel | - | - | nC | | VGS(th) | ±1.8 | - | P-Channel | - | - | V | #### 绝对最大额定值 - **耐压**:最大耐压为±40V。 - **连续漏极电流**: - N-Channel: 在TJ = 150°C时为7.6A,在TA = 25°C时为7.6A。 - P-Channel: 在TJ = 150°C时为-6.8A,在TA = 25°C时为-5.6A。 - **脉冲漏极电流**:在10μs脉冲宽度下最大为30A。 - **源极-漏极二极管电流**:最大为3.6A。 - **单脉冲雪崩电流**:最大为20A。 - **最大功耗**:在TA = 25°C时为6.1W,在TA = 70°C时为3W。 - **工作温度范围**:-55°C至150°C。 - **热阻**:最大结到环境的热阻为27.5°C/W。 #### 静态参数 - **栅极-源极电压阈值**(VGS(th)):±1.8V。 - **漏极-源极击穿电压**(VDS):在N-Channel为30V,在P-Channel为-30V。 - **导通电阻**(RDS(on)):在VGS = 10V时,N-Channel为15mΩ,在VGS = 20V时为19mΩ;P-Channel相应数值分别为15mΩ和19mΩ。 #### 总结 QM4306S-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET,采用SOP8封装,具有良好的电气性能和可靠性,适用于各种电机驱动和其他电源管理应用。其独特的设计使得该产品不仅能够满足当前市场的需求,同时也为未来的应用提供了广泛的适用性。通过使用先进的TrenchFET®技术,QM4306S-VB在降低能耗的同时,还保持了较高的效率和稳定性。对于寻求高效、可靠的功率管理解决方案的设计工程师来说,这款MOSFET是一个理想的选择。
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