### QM4306S-VB：一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
#### 概述
QM4306S-VB是一款采用SOP8封装技术的N+P-Channel场效应晶体管（MOSFET），其设计符合环保标准，不含卤素，并且满足RoHS指令2002/95/EC的要求。该MOSFET具有双通道结构，分别提供N-Channel和P-Channel版本，最大耐压为±40V，适用于各种电机驱动应用。
#### 特性
- **环保材料**：根据IEC 61249-2-21定义，该MOSFET采用无卤素材料制造。
- **TrenchFET® 技术**：利用先进的TrenchFET®技术，提高了效率并降低了导通电阻。
- **全面测试**：所有器件均经过100%的Rg和UIS测试，确保产品质量稳定可靠。
- **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求，确保产品环保安全。
#### 应用场景
- **电机驱动**：适合用于各种电机驱动应用，如直流电机、步进电机等。
- **电源管理**：可用于电源开关、电源转换器等设备中的电流控制。
- **汽车电子**：适用于汽车电子系统中的电机控制和电源管理系统。
- **工业自动化**：在工业自动化领域，如机器人控制系统、传感器接口等方面也有广泛的应用。
#### 产品概述
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 型号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| ID | - | VGS = 10V | N-Channel | 13.3 | 7.6 | A |
| Qg (Typ.) | 0.015 | VGS = 10V | N-Channel | - | - | nC |
| VGS(th) | ±1.8 | - | N-Channel | - | - | V |
| ID | - | VGS = -10V | P-Channel | 13 | -6.8 | A |
| Qg (Typ.) | 0.017 | VGS = -10V | P-Channel | - | - | nC |
| VGS(th) | ±1.8 | - | P-Channel | - | - | V |
#### 绝对最大额定值
- **耐压**：最大耐压为±40V。
- **连续漏极电流**：
- N-Channel: 在TJ = 150°C时为7.6A，在TA = 25°C时为7.6A。
- P-Channel: 在TJ = 150°C时为-6.8A，在TA = 25°C时为-5.6A。
- **脉冲漏极电流**：在10μs脉冲宽度下最大为30A。
- **源极-漏极二极管电流**：最大为3.6A。
- **单脉冲雪崩电流**：最大为20A。
- **最大功耗**：在TA = 25°C时为6.1W，在TA = 70°C时为3W。
- **工作温度范围**：-55°C至150°C。
- **热阻**：最大结到环境的热阻为27.5°C/W。
#### 静态参数
- **栅极-源极电压阈值**（VGS(th)）：±1.8V。
- **漏极-源极击穿电压**（VDS）：在N-Channel为30V，在P-Channel为-30V。
- **导通电阻**（RDS(on)）：在VGS = 10V时，N-Channel为15mΩ，在VGS = 20V时为19mΩ；P-Channel相应数值分别为15mΩ和19mΩ。
#### 总结
QM4306S-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET，采用SOP8封装，具有良好的电气性能和可靠性，适用于各种电机驱动和其他电源管理应用。其独特的设计使得该产品不仅能够满足当前市场的需求，同时也为未来的应用提供了广泛的适用性。通过使用先进的TrenchFET®技术，QM4306S-VB在降低能耗的同时，还保持了较高的效率和稳定性。对于寻求高效、可靠的功率管理解决方案的设计工程师来说，这款MOSFET是一个理想的选择。
