QM4301S-VB一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
### QM4301S-VB:一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管 #### 概述 QM4301S-VB是一款采用SOP8封装技术的N+P-Channel场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi制造。该产品具有低导通电阻、高可靠性以及宽工作温度范围等特点,适用于多种应用场合,如电机驱动等。 #### 特性与规格 - **无卤素设计**:符合IEC 61249-2-21定义,适合环保应用。 - **TrenchFET® 功率MOSFET**:采用了先进的沟槽式结构,提高了器件的性能。 - **RoHS合规**:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,确保了产品的环保特性。 - **绝对最大额定值**: - **漏源电压(Vds)**:±40V - **栅源电压(Vgs)**:±20V - **连续漏极电流(Id)**:N-Channel为8A(Tj=150°C时),P-Channel为7A(Tj=150°C时) - **脉冲漏极电流(Idm)**:30A(10μs脉冲宽度) - **源极-漏极二极管电流(Is)**:N-Channel为3.6A,P-Channel为3.6A - **单脉冲雪崩电流(Ila)**:20A - **单脉冲雪崩能量(Ea)**:20mJ - **最大功率耗散(Pd)**:6.1W(Ta=25°C时) - **工作结温范围(Tj)**:-55至150°C - **热阻**: - **结到环境(RthJA)**:27°C/W - **结到脚(RthJF)**:19°C/W #### 关键参数解释 - **RDS(on)**:在Vgs=10V时,N-Channel的RDS(on)为15mΩ,在Vgs=20V时为19mΩ;对于P-Channel,在Vgs=-10V时,RDS(on)为17mΩ,在Vgs=-4.5V时为22mΩ。这些数值表示当MOSFET处于导通状态时,漏极与源极之间的电阻,是评估MOSFET性能的重要指标之一。 - **Vth**:N-Channel和P-Channel的阈值电压均为±1.8V。Vth定义了使MOSFET开始导通所需的最小Vgs电压。 - **Qg**:N-Channel的输入电荷为0.015nC(在Vgs=10V时),P-Channel为0.017nC(在Vgs=-10V时),在Vgs=-4.5V时为0.022nC。Qg是衡量MOSFET开关速度的一个关键参数,它与栅极电容有关。 - **ID**:N-Channel的最大连续漏极电流为7.6A(Ta=25°C时),P-Channel为6.8A(Ta=25°C时)。这是在特定结温条件下MOSFET能持续承受的最大电流。 - **Vds**:漏源击穿电压(Vds)是MOSFET所能承受的最大漏源电压。N-Channel的Vds为40V,P-Channel同样为40V。 - **雪崩耐受能力**:单脉冲雪崩电流和单脉冲雪崩能量是评价MOSFET在短路情况下能够安全承受的电流和能量大小的重要指标。QM4301S-VB的单脉冲雪崩电流为20A,单脉冲雪崩能量为20mJ。 #### 应用领域 - **电机驱动**:由于其高效率和良好的热性能,QM4301S-VB特别适合于驱动小型电机。 - **电源转换器**:在DC-DC转换器和其他类型的电源管理电路中作为开关元件使用。 - **负载开关**:用于控制负载电路的通断,特别是在需要快速响应的应用中。 #### 结论 QM4301S-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热性能。这些特性使其成为各种应用的理想选择,特别是在需要高效能、高可靠性的场合。
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