### 9962GM-HF-VB：一款SOP8封装双通道N-Channel场效应MOS管
#### 概述
9962GM-HF-VB是一款采用SOP8封装的双通道N-Channel场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi生产。该器件具有两个独立的N-Channel沟道，每个沟道的最大工作电压为60V，最大连续电流为6A，并且在VGS=10V时的导通电阻RDS(on)低至27mΩ。
#### 主要特性
- **TrenchFET®功率MOSFET技术**：采用了先进的TrenchFET技术，提高了开关性能和效率。
- **100% Rg和UIS测试**：确保了器件在各种条件下的可靠性和一致性。
#### 封装与尺寸
- **SOP8封装**：采用小型化、易于安装的SOP8封装，适合高密度电路板布局。
- **尺寸参数**：虽然具体尺寸未给出，但SOP8封装通常非常紧凑，适用于空间受限的应用环境。
#### 电气参数
- **绝对最大额定值**：
- **最大漏源电压** (VDS)：60V
- **最大栅源电压** (VGS)：±20V
- **最大连续漏极电流** (ID)：7A @25°C；4A @125°C
- **脉冲漏极电流** (IDM)：28A
- **单脉冲雪崩电流** (IAS)：18A
- **单脉冲雪崩能量** (EAS)：16.2mJ
- **最大功耗** (PD)：4W @25°C；1.3W @125°C
- **工作结温范围** (TJ)：-55°C至+175°C
- **热阻**：
- **结到环境温度** (RthJA)：110°C/W
- **结到脚温度** (RthJF)：34°C/W
#### 静态参数
- **漏源击穿电压** (VDS)：60V
- **栅源阈值电压** (VGS(th))：1.5V ~ 2.5V
- **栅源漏电流** (IGSS)：<±100nA
- **零栅压漏电流** (IDSS)：<150μA
#### 动态参数
- **导通状态漏极电流** (ID(on))：5A
- **导通状态漏源电阻** (RDS(on))：
- VGS=10V, ID=4.5A: 27mΩ
- VGS=10V, ID=4.5A, TJ=125°C: 66mΩ
- VGS=10V, ID=4.5A, TJ=175°C: 81mΩ
- VGS=4.5V, ID=4A: 30mΩ
- **前向跨导** (fgs)：未给出
#### 使用注意事项
- **脉冲测试**：对于脉冲测试，脉冲宽度应≤300μs，占空比≤2%。
- **封装限制**：封装对某些性能参数有直接影响，例如最大功耗等。
- **测试条件**：部分参数的测试是在特定条件下进行的，如温度、电流等。
#### 应用场景
由于其较高的击穿电压、低导通电阻以及良好的热性能，9962GM-HF-VB适用于多种电源管理和功率转换应用，包括但不限于：
- **DC/DC转换器**
- **电机控制**
- **电池管理**
- **逆变器**
9962GM-HF-VB是一款性能优异、应用广泛的双通道N-Channel MOSFET，适用于需要高效能和可靠性的电子系统中。
