4531GM-VB一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
### 4531GM-VB — 一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管 #### 概述 4531GM-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装N+P-Channel场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于各种电源管理和逆变应用。 #### 特性与规格 - **无卤素**:符合IEC 61249-2-21标准。 - **TrenchFET®功率MOSFET**:采用TrenchFET®技术,显著降低开关损耗和导通电阻。 - **全测试**:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保一致性和可靠性。 #### 应用场景 - **CCFL逆变器**:适用于冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器等高频开关电源应用。 - **其他电源管理**:如DC-DC转换器、电池充电器和保护电路等。 #### 产品概述 - **额定电压**:VDS(漏-源电压)为±60V。 - **导通电阻**: - N-Channel在VGS=10V时,RDS(on)为28mΩ; - N-Channel在VGS=4.5V时,RDS(on)为51mΩ。 - **最大电流**: - N-Channel ID(连续漏极电流)在TJ=150°C时为5.3A,在TC=25°C时为4A; - P-Channel ID在TJ=150°C时为-5A,在TC=25°C时为-4A。 - **阈值电压**: - N-Channel VGS(th)为1.9V; - P-Channel VGS(th)为-1.9V。 #### 绝对最大额定值 - **VDS**(漏-源电压):N-Channel和P-Channel均为±60V。 - **VGST**(栅-源电压):N-Channel和P-Channel均为±20V。 - **ID**(连续漏极电流):N-Channel为5.3A,P-Channel为-5A。 - **IP**(脉冲漏极电流):N-Channel为20A,P-Channel为-25A。 - **IS**(源-漏极电流):N-Channel为2.6A,P-Channel为-2.8A。 - **SM**(脉冲源-漏极电流):N-Channel为20A,P-Channel为-25A。 - **AS**(单脉冲雪崩能量):N-Channel为6.111mJ,P-Channel为11.5mJ。 - **PD**(最大功率耗散):N-Channel为3.13W,P-Channel为3.4W。 - **TJ, Tstg**(工作结温范围):-55°C至150°C。 #### 热阻特性 - **RthJA**(最大结-环境热阻):N-Channel为55°C/W,P-Channel为62.5°C/W。 - **RthJF**(稳态结-脚热阻):N-Channel为33°C/W,P-Channel为40°C/W。 #### 静态参数 - **VDS**(漏-源击穿电压):N-Channel为60V,P-Channel为-60V。 - **ΔVDS/T**(VDS温度系数):N-Channel为55mV,P-Channel为-50mV。 - **ΔVGS(th)/T**(VGS(th)温度系数):N-Channel为-6mV,P-Channel为4mV。 - **VGS(th)**(栅-源阈值电压):N-Channel为1.9V,P-Channel为-1.9V。 #### 结论 4531GM-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET,其独特的设计使得它在各种电源管理和逆变应用中表现出色。通过采用先进的TrenchFET®技术,该MOSFET能够实现低导通电阻和高效率,从而提高整体系统性能。此外,严格的测试确保了产品的可靠性和一致性,使其成为CCFL逆变器和其他电源管理应用的理想选择。
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