MMDF3N06VLR2G-VB一款SOP8封装2个N-Channel场效应MOS管
### MMDF3N06VLR2G-VB——SOP8封装双通道N-Channel场效应MOS管概述 本篇文章将详细解读MMDF3N06VLR2G-VB这款产品的主要特点、技术参数及其应用领域,旨在帮助读者全面了解这款SOP8封装的双通道N-Channel场效应MOS管。 #### 一、产品概述 MMDF3N06VLR2G-VB是一款采用SOP8封装形式的双通道N-Channel沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下显著特点: 1. **TrenchFET®技术**:采用了先进的TrenchFET®技术,提高了器件的整体性能。 2. **高可靠性**:所有产品经过100%的Rg(栅极电阻)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,确保了产品的可靠性和稳定性。 3. **工作电压**:支持最大60V的漏源电压(VDS),适用于多种电源管理应用场景。 4. **低导通电阻**:在VGS=10V时,RDS(on)最低可达27mΩ,减少了功率损耗。 5. **低阈值电压**:Vth=1.5V,使得器件能够在较低的驱动电压下工作,便于设计。 #### 二、主要技术参数 根据产品数据表,我们可以得到以下关键的技术参数: 1. **静态参数** - **漏源击穿电压** (VDS):最大值为60V。 - **栅源阈值电压** (VGS(th)):范围为1.5V至2.5V。 - **零栅压漏电流** (IDSS):在TJ=125°C时,最大不超过50μA,在TJ=175°C时,最大不超过150μA。 - **漏源导通电阻** (RDS(on)): - 在VGS=10V, ID=4.5A时,典型值为27mΩ。 - 在VGS=10V, ID=4.5A, TJ=125°C时,最大值为66mΩ。 - 在VGS=10V, ID=4.5A, TJ=175°C时,最大值为81mΩ。 - 在VGS=4.5V, ID=4A时,典型值为30mΩ。 - **正向跨导** (fgs):在VDS=15V, ID=4.5A时进行测试。 2. **动态参数** - **连续漏极电流** (ID):每个通道最大可达7A。 - **连续源极电流** (IS):每个通道最大可达3.6A。 - **脉冲漏极电流** (IDM):最大可达28A。 - **单脉冲雪崩电流** (IL):最大可达0.1mA。 - **单脉冲雪崩能量** (EAS):最大为16.2mJ。 3. **热特性** - **最大功耗** (PD):在25°C环境温度下最大为4W,在125°C环境温度下最大为1.3W。 - **结温范围** (TJ):从-55°C到+175°C。 - **热阻** (Rth): - **结到环境** (RthJA):110°C/W。 - **结到脚(漏极)** (RthJF):34°C/W。 4. **封装与尺寸** - **封装类型**:SOP8。 - **尺寸**:顶部视图显示,器件采用双通道设计,每通道包含一个N-Channel MOSFET。 - **测试条件**:脉冲测试条件下,脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%。 #### 三、应用领域 MMDF3N06VLR2G-VB因其优秀的电气特性和紧凑的封装尺寸,在以下领域有着广泛的应用前景: - **电源管理系统**:如笔记本电脑、服务器等设备中的电源管理单元。 - **马达控制**:适用于小型电机的速度控制和方向切换。 - **汽车电子**:用于汽车电源系统、照明控制等领域。 - **工业控制**:在自动化生产线、机器人控制系统中作为开关元件使用。 #### 四、总结 MMDF3N06VLR2G-VB以其卓越的性能、紧凑的封装以及可靠的测试标准,成为了一款非常受欢迎的双通道N-Channel场效应MOS管。其低导通电阻、宽泛的工作电压范围以及优秀的热特性使其成为了电源管理和电机控制等领域的理想选择。对于设计工程师来说,了解这些详细的技术参数对于选择合适的MOS管至关重要。
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