IRF7473TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关应用。它采用SOP8（小外形封装）封装，适用于节省空间且需要高效能的电路设计。这款MOSFET具有以下特性：
1. **极低的Qgd**：Qgd（栅极到漏极电荷）是衡量MOSFET开关速度和开关损耗的关键参数。IRF7473TRPBF-VB的Qgd非常低，这使得它在高速开关操作中表现出色，降低了能量损失。
2. **100% Rg测试**：该器件已经通过了100%的栅极电阻(Rg)测试，确保了其栅极驱动性能的可靠性。
3. **100% Avalanche测试**：这意味着每个器件都经过了雪崩电流测试，保证了在过载条件下其稳定性和安全性。
4. **RoHS兼容**：遵循欧盟RoHS指令2002/95/EC，表明该产品不含有害物质，符合环保标准。
**应用领域**：
IRF7473TRPBF-VB主要应用于电源的主侧开关，尤其是在需要高效、快速开关功能的场合。其高耐压能力（100V的漏源电压VDS）和良好的热特性使其适用于各种电力转换和管理电路。
**电气参数**：
- **漏源电压VDS**：最大值为100V，意味着该MOSFET能够在高达100V的电压下正常工作。
- **栅源电压VGS**：额定值为±20V，这是控制MOSFET导通和截止的电压范围。
- **连续漏极电流ID**：在不同温度下有所不同，例如在25°C时可达到9A，而在70°C时为6A。
- **脉冲漏极电流IDM**：最大可达40A，用于短时间的高功率脉冲操作。
- **源漏二极管连续电流IS**：在25°C时，其值为3.8A。
- **单脉冲雪崩电流IA**：最大值为30毫安，表明了器件在雪崩模式下的承受能力。
- **单脉冲雪崩能量EAS**：最大为112毫焦，表示在雪崩条件下能承受的能量峰值。
**热特性**：
- **最大结温TJ**：允许的最大工作和存储温度范围为-55°C到150°C。
- **结到外壳的热阻RthJA**：在25°C时典型值为334°C/W，这意味着每增加1W功率，结温将升高334°C。
- **结到脚的热阻RthJF**：在相同条件下，这个值为172°C/W。
**其他要点**：
- **RDS(on)**：在栅源电压VGS = 10V时，漏源电阻RDS(on)的典型值为32毫欧，这是一个衡量MOSFET导通电阻的参数，较低的RDS(on)意味着更低的导通损耗。
- **最大功率耗散PD**：在25°C时，器件的最大功率耗散为14W，而在70°C时则降低。
IRF7473TRPBF-VB是一款高性能、环保的N沟道MOSFET，适用于对效率和可靠性有高要求的电路设计。如需更多产品信息，可以联系提供的服务热线400-655-8788。
