IRF7470TRPBF&10-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### IRF7470TRPBF&10-VB N-Channel沟道SOP8 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 IRF7470TRPBF&10-VB是一款采用SOP8封装的N-Channel沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于同步整流、POL(Point Of Load)模块、IBC(隔离电源转换器)等场合。该器件的最大工作电压为40V,最大连续电流为10A,并且具有较低的导通电阻RDS(ON),这使得它在高效率、高功率密度的应用中表现优异。 #### 特性 - **无卤素**:根据IEC 61249-2-21标准定义,此器件是无卤素的,符合环保要求。 - **TrenchFET®技术**:采用先进的TrenchFET技术,可实现更低的导通电阻和更高的开关性能。 - **100% Rg测试**:所有产品都经过严格的Rg(栅极电阻)测试,确保了器件的一致性和可靠性。 - **100% UIS测试**:所有产品都通过了UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,提高了在非理想负载条件下的稳定性和耐受能力。 - **RoHS合规**:符合RoHS指令2002/95/EC的要求,不含限制物质。 #### 参数详情 - **RDS(ON)**(导通电阻):在VGS=10V时,RDS(ON)为14mΩ,在VGS=20V时,RDS(ON)为更低值。低导通电阻有助于减少导通损耗,提高效率。 - **Vth**(阈值电压):Vth=1.6V,这意味着当栅源电压达到1.6V时,MOSFET开始导通,这对于逻辑电平驱动非常有用。 - **静态参数**: - **VDS**(漏源电压):最大值为40V,表明此器件适用于40V及以下的工作电压。 - **ID**(连续漏极电流):TC=25°C时的最大连续漏极电流为10A;TC=70°C时的最大连续漏极电流为5A。这表示在不同的环境温度下,该器件能够承载的电流有所不同。 - **IDM**(脉冲漏极电流):最大值为50A,表示在短时间内能够承受较大的电流冲击。 - **Avalanche Current**(雪崩电流):最大值为15A,反映了器件对于过载情况的耐受能力。 - **Avalanche Energy**(雪崩能量):最大值为11mJ,表示器件可以吸收的雪崩能量大小。 #### 应用领域 - **同步整流**:用于DC-DC转换器中的同步整流电路,提高转换效率。 - **POL模块**:作为负载点转换器的一部分,用于将高电压转换为系统内部所需的各种较低电压。 - **IBC-Secondary Side**:用于隔离电源转换器的次级侧,实现高效能的电源管理。 #### 封装规格 - **SOP8**:采用小型表面贴装技术(SMT)封装,尺寸紧凑,适合高密度安装。 - **热特性**:最高结温范围为-55°C至150°C,确保了器件能够在广泛的温度范围内可靠运行。此外,给出了不同条件下最大功耗的推荐值,以及热阻参数。 #### 使用注意事项 - 超出“绝对最大额定值”的应力可能会对器件造成永久性损害。这些额定值仅作为应力参考,并不代表在任何其他条件下的正常工作范围。 - 在极端条件下长时间工作可能会影响器件的可靠性。 IRF7470TRPBF&10-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适用于各种需要高效能、高功率密度的电子设备中。通过采用先进的制造工艺和技术,该器件不仅能够满足严格的性能要求,还符合环保标准,是一款理想的电源管理解决方案。
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