### IRF7484TRPBF-VB N-Channel 沟道SOP8 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、产品概述
**IRF7484TRPBF-VB**是一款采用SOP8封装的N-Channel沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有以下特点：
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，符合环保要求。
- **TrenchFET® 技术**：通过先进的沟槽栅技术提高效率并降低导通电阻。
- **100% Rg 测试**：确保了栅极电阻的一致性，提高了可靠性。
- **100% UIS 测试**：进行了严格的单元中断应力测试，验证了其在实际应用中的耐用性和稳定性。
- **RoHS 合规**：符合欧盟2002/95/EC指令，不含限制使用的有害物质。
#### 二、主要技术规格
- **最大绝对额定值**：
- **漏源电压(VDS)**：40V。
- **栅源电压(VGS)**：±20V。
- **连续漏极电流(ID)**：在TJ = 150°C时为50A。
- **脉冲漏极电流(IDM)**：最大可达50A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%）。
- **雪崩电流(Iav)**：15A。
- **雪崩能量(Ea)**：11mJ。
- **连续源漏电流(IS)**：5A。
- **最大功耗(PD)**：在TC = 25°C时为6W。
- **工作结温(TJ)**：-55至150°C。
- **静态参数**：
- **导通电阻(RDS(on))**：在VGS = 10V时，RDS(on)为14mΩ；在VGS = 4.5V时，RDS(on)为16mΩ。
- **阈值电压(Vth)**：1.6V。
- **热阻**：
- **结到环境的热阻(RthJA)**：典型值为37°C/W，最大值为50°C/W。
- **结到脚（漏极）的热阻(RthJF)**：典型值为17°C/W，最大值为21°C/W。
#### 三、应用领域
- **同步整流**：适用于高效率电源转换器中的同步整流应用。
- **POL（负载点）转换器**：用于服务器、工作站和其他高性能计算系统中的负载点转换器。
- **IBC（隔离式直流-直流转换器）- 二次侧**：用于隔离式转换器的二次侧调节电路。
#### 四、产品特点解析
1. **TrenchFET® 技术**：通过采用先进的沟槽栅结构，显著降低了导通电阻，从而减少了开关损耗和导通损耗，提高了整体效率。
2. **无卤素设计**：符合环保标准，适合绿色制造和可持续发展需求。
3. **严格的测试标准**：通过100% Rg和UIS测试，确保了产品的稳定性和可靠性。
4. **广泛的温度范围**：能够在极端温度条件下正常工作，适用于各种恶劣环境下的应用。
5. **高功率密度**：结合低导通电阻和紧凑的SOP8封装，使得该MOSFET成为高功率密度应用的理想选择。
#### 五、总结
**IRF7484TRPBF-VB**作为一款高性能的N-Channel沟道功率MOSFET，不仅具备先进的TrenchFET技术带来的低导通电阻特性，还拥有可靠的测试认证和广泛的应用场景。无论是对于同步整流、负载点转换器还是隔离式直流-直流转换器等应用领域来说，它都能够提供出色的性能表现和稳定的运行保障。此外，其环保无卤素的设计理念也使其成为未来绿色制造和可持续发展领域的优选器件之一。
