18P06P-VB TO263一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

18P06P-VB TO263；Package：TO263；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-60V；VGS：20（±V）；Vth：-1.7V；RDS(ON)=77mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V；ID：-30A；Technology：Trench；