08P06P-VB；Package：TO252；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-60V；VGS：20（±V）；Vth：-1.7V；RDS(ON)=72mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V；ID：-30A；Technology：Trench；
### 08P06P-VB P-Channel沟道TO252 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
08P06P-VB是一款单通道P-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TO252封装形式，具有以下主要特性：
- **工作电压**：最大VDS为-60V，VGS为±20V。
- **阈值电压**：Vth为-1.7V。
- **导通电阻**：RDS(ON)在VGS=-4.5V时为72mΩ，在VGS=-10V时降低到61mΩ。
- **电流能力**：最大连续电流ID为-30A。
- **制造工艺**：采用沟槽技术（Trench）。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是在任何情况下都不能超过的最大值，超出这些值可能会导致器件永久损坏。具体参数如下：
- **栅源电压(VGS)**：±20V。
- **连续漏极电流(ID)**：在结温(TJ)为175°C时，最大为-30A；在散热器温度(TA)为100°C时，最大为-25A。
- **脉冲漏极电流(DMI)**：最大为-30A。
- **持续源极电流(IS)**：最大为-20A。
- **雪崩电流(IA)**：最大为-20A。
- **单脉冲雪崩能量(EA)**：在脉冲长度为0.1毫秒时，最大为7.2mJ。
- **最大功率耗散(PD)**：在TA=25°C时为34W；在TA=25°C且热时间常数≤10秒时为4W。
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至175°C。
#### 静态参数
静态参数反映了MOSFET在稳态条件下的性能，主要包括以下几项：
- **漏源击穿电压(BRDSS)**：当VGS=0V且ID=-250μA时，最小值为-60V。
- **栅阈电压(VGS(th))**：当VDS=VGS且ID=-250μA时，范围为-1.0V至-3.0V。
- **栅体泄漏电流(IGSS)**：当VDS=-60V且VGS=±20V时，最大值为±100nA。
- **零栅压漏电流(IDSS)**：当VDS=-60V且VGS=0V时，最大值分别为-1μA(TJ=125°C)和-50μA(TJ=175°C)。
- **导通状态漏极电流(ID(on))**：在特定条件下测量，如VDS=-60V且VGS=0V时，最大值为-50μA(TJ=125°C)和-150μA(TJ=175°C)。
#### 应用场景
08P06P-VB MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
- **负载开关**：利用其低导通电阻(RDS(ON))特性，有效减少功耗并提高效率。
- **电源管理电路**：适用于需要高电流处理能力和快速切换特性的电源转换应用。
- **电机控制**：在需要精确控制电流或电压的应用中发挥重要作用。
- **逆变器和变换器**：适用于各种电力电子设备中的开关功能。
#### 结论
08P06P-VB是一款高性能P-Channel MOSFET，具备低导通电阻、高电流处理能力和宽泛的工作温度范围等优点。它适用于需要高效能、大电流处理和快速切换的应用场合。通过了解其详细的电气参数和绝对最大额定值，可以确保在设计过程中正确选择和使用该器件，从而达到预期的性能指标。
