08P06P-VB TO263一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
08P06P-VB TO263;Package:TO263;Configuration:Single-P-Channel;VDS:-60V;VGS:20(±V);Vth:-1.7V;RDS(ON)=77mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V;ID:-30A;Technology:Trench; ### 08P06P-VB TO263 晶体管参数介绍与应用说明 #### 一、概述 本文将详细介绍08P06P-VB TO263这款P-Channel沟道TO263封装的MOSFET晶体管的主要参数及其应用场景。该晶体管具有高可靠性和优异的性能指标,在多种电子设备中有着广泛的应用。 #### 二、技术规格 08P06P-VB TO263是一款采用TO263封装的单P-Channel沟道MOSFET,其主要技术参数包括: - **最大漏源电压**(VDS):-60V - **最大栅源电压**(VGS):±20V - **阈值电压**(Vth):-1.7V - **导通电阻**(RDS(ON)): - 在VGS = 4.5V时,RDS(ON)为77mΩ - 在VGS = 10V时,RDS(ON)降低至64mΩ - **最大连续漏极电流**(ID):-30A - **技术类型**:沟槽型(Trench) #### 三、绝对最大额定值 在绝对最大额定值方面,08P06P-VB TO263晶体管的主要参数如下: - **栅源电压**(VGS):±20V - **连续漏极电流**(ID): - 当结温TJ = 175°C时,ID为-30A - 当散热片温度TA = 100°C时,ID为-20A - **脉冲漏极电流**(IP):-90A - **持续源极电流**(IS):-28A - **雪崩电流**(IA):-31A - **单脉冲雪崩能量**(EAS):7.2mJ - **最大功率耗散**: - 当环境温度TA = 25°C时,PD为60W - 当散热片温度TA = 25°C时,PD为60W - **工作结温和存储温度范围**(TJ, Tstg):-55°C至175°C - **热阻**: - 结至环境热阻(RthJA):20°C/W(典型值),25°C/W(最大值) - 结至壳热阻(RthJC):5°C/W(典型值),6°C/W(最大值) #### 四、静态参数 在静态参数方面,08P06P-VB TO263晶体管的主要参数如下: - **漏源击穿电压**(V(BD)DSS):当VGS = 0V且ID = -250μA时,V(BD)DSS ≥ -60V - **栅阈电压**(V(GS)th):当VDS = VGS且ID = -250μA时,V(GS)th的范围是-1.0V至-3.0V - **栅体漏电流**(I(GS)GSS):当VDS = 0V且VGS = ±20V时,I(GS)GSS ≤ ±100nA - **零栅压漏电流**(I(DS)DSS): - 当VDS = -60V且VGS = 0V时,I(DS)DSS ≤ -1μA - 当VDS = -60V且VGS = 0V且TJ = 125°C时,I(DS)DSS ≤ -50μA #### 五、特点与应用 08P06P-VB TO263采用了先进的沟槽型MOSFET技术,具有以下特点: - **低导通电阻**:在不同栅源电压下展现出较低的导通电阻,有助于提高效率。 - **宽工作温度范围**:可以在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作。 - **高可靠性**:通过严格的测试确保产品在极端条件下的可靠性。 该晶体管适用于以下领域: - **负载开关**:用于控制电源通断或调节电流大小。 - **电机驱动**:用于驱动电机,特别是需要快速响应的应用场合。 - **电源管理**:在各种电源管理电路中作为关键组件使用。 #### 六、注意事项 - **过载保护**:尽管晶体管设计有较高的耐受能力,但应避免长时间处于超过绝对最大额定值的状态,以免损坏器件。 - **热设计**:为了确保晶体管正常工作,应考虑适当的散热措施,如使用散热片等。 - **安装指南**:遵循制造商提供的安装指导,以确保正确安装和最佳性能。 08P06P-VB TO263是一款性能优良、可靠性高的P-Channel MOSFET,适用于多种电子系统的设计和开发。通过对上述技术规格和应用建议的了解,可以更好地利用此款晶体管的优势,提升产品的整体性能。
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