### FW138-TL-E-VB：一款SOP8封装双P-Channel场效应MOS管
#### 基本概述
FW138-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi制造。该产品具有两个P-Channel沟道，适用于负载开关等应用领域。
#### 特点
- **无卤素**：符合环保标准。
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：采用先进的工艺制造，提供更低的导通电阻（RDS(ON)）和更优的热性能。
- **100% UIS测试**：确保器件在极端条件下的可靠性。
#### 应用范围
- **负载开关**：用于电源管理中的负载控制。
#### 技术参数
- **VDS（最大漏源电压）**：-30V，表示当栅极与源极之间电压为零时，漏极与源极之间的最大承受电压为30V。
- **RDS(ON)（导通电阻）**：35mΩ@VGS=10V, VGS=20V，意味着在VGS分别为10V和20V时，器件的导通电阻为35mΩ。
- **Vth（阈值电压）**：-1.5V，表示器件开始导通所需的最小栅极电压。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是器件能够承受的最大值，在这些条件下长时间运行可能会损坏器件。
- **V_Drain-Source（最大漏源电压）**：-30V。
- **V_Gate-Source（最大栅源电压）**：±20V。
- **I_Drain（最大连续漏极电流）**：
- 在结温（TJ）为150°C时，为-7.3A/-7.0A；
- 在环境温度（TA）为25°C时，为-5.9A；
- 在环境温度（TA）为70°C时，为-3.2A。
- **I_Pulsed Drain（最大脉冲漏极电流）**：根据数据表，此值未直接给出，但可以通过其他参数推测其范围。
- **I_Source-Drain Diode（最大连续源-漏二极管电流）**：-4.1A/-2.0A。
- **I_Avalanche（雪崩电流）**：-20A。
- **E_Single-Pulse Avalanche（单脉冲雪崩能量）**：20mJ。
- **P_Dissipation（最大功率耗散）**：5.0W（TA=25°C）、3.22W/2.5W（TA=70°C）。
- **T_Junction and Storage（工作结温和存储温度范围）**：-55°C 至 150°C。
#### 典型电气特性
- **RDS(ON)（导通电阻）**：0.035Ω @ VGS = -10V, ID = -7.3A；0.045Ω @ VGS = -4.5V, ID = -6.3A。
- **Qg（输入电荷）**：17nC @ VGS = -10V, ID = -7.3A。
#### 封装信息
- **封装类型**：SO-8。
- **引脚排列**：S1/G1/D1/P-Channel MOSFET、S2/G2/D2/P-Channel MOSFET。
- **顶部视图**：引脚编号为5-6-7-8。
- **RoHS合规**：符合RoHS标准。
#### 注意事项
- 在进行测试时，脉冲宽度应≤300μs，占空比≤2%。
- 超过“绝对最大额定值”的条件可能导致永久性损坏。
- 设备在这些条件或超出规格中操作部分所指示的任何其他条件下的正常工作并不被暗示。
- 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。
FW138-TL-E-VB是一款高性能的双P-Channel场效应MOS管，特别适合用于需要高效率和可靠性的负载开关应用。通过采用先进的TrenchFET®技术，这款MOS管不仅具有较低的导通电阻，还能够在较宽的工作温度范围内稳定工作，从而确保了系统整体的性能和耐用性。
