### HAT1055RJ-EL-E-VB 双通道P-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、产品概述
HAT1055RJ-EL-E-VB是一款双通道P-Channel MOSFET晶体管，采用SOP8封装形式。该产品具有两个独立的P-Channel沟道，每个沟道的最大工作电压为-60V，连续电流可达-5.3A。在VGS=10V时，其导通电阻RDS(ON)仅为58mΩ，并且在VGS=20V时保持相同值。此外，该MOSFET的阈值电压范围为-1至-3V。
#### 二、产品特点
- **无卤素**：产品设计符合环保标准，不含卤素。
- **TrenchFET®功率MOSFET**：采用先进的TrenchFET技术，实现更低的导通电阻和更优的热性能。
- **100% UIS测试**：确保产品的高可靠性和一致性。
#### 三、绝对最大额定值
- **最大漏-源电压VDS**：-60V。
- **最大栅-源电压VGS**：±20V。
- **最大连续漏极电流ID**：
- 在TA=25°C下为-5.3A。
- 在TA=70°C下为-5.0A。
- **最大脉冲漏极电流IP**：-32A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%）。
- **最大连续源-漏电流IS**：
- 在TA=25°C下为-4.1A。
- 在TA=70°C下为-2.0A。
- **雪崩电流IAV**：-20A。
- **单脉冲雪崩能量EA**：20mJ。
- **最大耗散功率PD**：
- 在TA=25°C下为4.0W。
- 在TA=70°C下为2.5W。
- **工作结温范围TJ, Tstg**：-55至150°C。
- **最大热阻RthJA**：38至50°C/W。
- **最大热阻RthJF**：20至25°C/W。
#### 四、规格参数
在TJ=25°C条件下，HAT1055RJ-EL-E-VB的主要规格参数如下：
- **漏-源击穿电压VDS**：在ID=250μA时，最小值为-60V。
- **导通电阻RDS(ON)**：
- 在VGS=-4.5V时，典型值为0.060Ω。
- 在VGS=-10V时，最小值为0.054Ω。
- **栅电荷Qg**：17nC（典型值）。
#### 五、应用领域
- **负载开关**：适用于各种电源管理系统中的负载控制，如便携式电子设备、计算机及其外围设备等。
- **电源管理**：在电池供电系统中作为电源路径管理元件，用于控制电池的充电或放电过程。
- **电机驱动**：应用于小型直流电机的驱动控制，实现电机速度调节等功能。
#### 六、注意事项
- 超过“绝对最大额定值”的应力可能导致器件永久损坏。这些额定值仅作为应力限制参考，不代表器件在这些条件下的正常工作性能。
- 长时间暴露于绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
#### 七、封装与外形
HAT1055RJ-EL-E-VB采用SOP8封装形式，适用于表面贴装工艺。封装尺寸紧凑，有助于节省PCB空间。此外，产品还符合RoHS环保标准，适用于各类环保要求严格的电子产品。
HAT1055RJ-EL-E-VB是一款高性能的双通道P-Channel MOSFET，具备低导通电阻、高可靠性和广泛的温度适应性等特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用场景。
