### HAT3018R-VB：一款N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、产品简介
HAT3018R-VB是一款结合了N-Channel与P-Channel的60V MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用SOP8封装形式。该器件由VBsemi生产，具有无卤素特性，符合IEC 61249-2-21标准，并采用了先进的TrenchFET®技术。
#### 二、主要特点
- **无卤素设计**：根据IEC 61249-2-21标准，确保产品在环保方面符合国际标准。
- **TrenchFET®技术**：提高了MOSFET的性能，降低了导通电阻，提高了效率。
- **100% Rg和UIS测试**：保证了器件的一致性和可靠性。
#### 三、电气参数
- **工作电压**：
- **N-Channel**：±60V
- **P-Channel**：±60V
- **连续电流**：
- **N-Channel**：6.5A（最大值）
- **P-Channel**：-5A（最大值）
- **导通电阻**（RDS(ON)）：
- **N-Channel**：
- 28mΩ @ VGS=10V
- 5.3Ω @ VGS=4.5V
- **P-Channel**：
- 51mΩ @ VGS=-10V
- 60mΩ @ VGS=-4.5V
- **阈值电压**（Vth）：
- ±1.9V
#### 四、详细规格
- **VDS**（最大源极至漏极电压）：60V
- **RDS(on)**（导通电阻）：
- N-Channel：5.3Ω @ VGS=10V，5.36nC Qg（典型值）
- P-Channel：51mΩ @ VGS=-10V，4.98nC Qg（典型值）
- **ID**（最大连续电流）：
- N-Channel：5.3A @ TC=25°C
- P-Channel：-4A @ TC=25°C
- **绝对最大额定值**（在TA=25°C下，除非另有说明）：
- **VD**S（源极-漏极电压）：±60V
- **VG**S（门极-源极电压）：±20V
- **ID**（连续漏极电流）：
- N-Channel：5.3A @ TC=25°C
- P-Channel：-4A @ TC=25°C
- **I**P（脉冲漏极电流）：
- N-Channel：20A @ 10μs脉宽
- P-Channel：-25A @ 10μs脉宽
- **I**S（源极-漏极二极管电流）：
- N-Channel：2.6A @ TC=25°C
- P-Channel：-2.8A @ TC=25°C
- **I**P（脉冲源极-漏极电流）：
- N-Channel：20A @ 单脉冲
- P-Channel：-25A @ 单脉冲
- **PD**（最大功率耗散）：
- N-Channel：3.1W @ TC=25°C
- P-Channel：3.4W @ TC=25°C
- **TJ**、**T**stg（操作结温和存储温度范围）：-55°C到150°C
#### 五、热阻特性
- **Rth**JA（结到环境热阻）：
- N-Channel：55°C/W（典型值），62.5°C/W（最大值）
- P-Channel：53°C/W（典型值），62.5°C/W（最大值）
- **Rth**JF（结到脚热阻）：
- N-Channel：33°C/W（典型值），40°C/W（最大值）
- P-Channel：30°C/W（典型值），37°C/W（最大值）
#### 六、静态特性
- **V**DS（漏极-源极击穿电压）：
- N-Channel：60V @ VGS=0V，ID=250µA
- P-Channel：-60V @ VGS=0V，ID=-250µA
- **ΔV**DS/T（VDS温度系数）：
- N-Channel：55mV/K
- P-Channel：-50mV/K
- **ΔV**GS(th)/T（VGS(th)温度系数）：
- N-Channel：-6mV/K
- P-Channel：4mV/K
- **V**GS(th)（门极阈值电压）：
- N-Channel：13V @ VDS=VGS，ID=250µA
- P-Channel：未给出具体数值
#### 七、应用场景
- **CCFL逆变器**：利用其高效能和低功耗特性，适用于各种类型的冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器电路中，能够提供稳定的电流输出并减少能量损耗。
通过以上详细的介绍，我们可以看出HAT3018R-VB作为一款高性能的N+P-Channel沟道MOSFET，不仅具备良好的电气性能和可靠性，而且在设计上也考虑到了环保因素，非常适合应用于对电源效率和体积有较高要求的应用场景中。
