### FW104-TL-E-VB：一款SOP8封装双P-Channel场效应MOS管
#### 概述
FW104-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi制造。该产品具有两个独立的P-Channel MOSFET单元，每个单元均具备良好的电气性能。它适用于负载开关等应用场合。
#### 技术特点
- **无卤素**：符合环保标准，不含卤素。
- **TrenchFET®功率MOSFET**：采用了先进的沟槽技术，降低了导通电阻和提高了开关性能。
- **100% UIS测试**：确保每个器件都经过了严格的UIS（Unclamped Inductive Switching）测试，以验证其在非钳位感性开关条件下的可靠性。
#### 主要参数
- **工作电压(VDS)**：最大为-30V。
- **导通电阻(RDS(on))**：当VGS=-10V时，最小值为0.035Ω；当VGS=-4.5V时，最小值为0.045Ω。
- **最大连续漏极电流(ID)**：-7.3A/-7.0A（取决于环境温度）。
- **门极电荷(Qg)**：典型值为17nC。
- **阈值电压(Vth)**：-1.5V。
#### 应用领域
- **负载开关**：用于电源管理和负载控制的应用中，例如，在计算机、服务器、电信设备等电子系统中的电源管理部分。
- **其他应用**：还可用于信号处理、电机控制等场合。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：最大-30V。
- **栅源电压(VGS)**：±20V。
- **连续漏极电流(ID)**：-7.3A/-7.0A（取决于环境温度和热阻）。
- **脉冲漏极电流(IP)**：具体数值未给出。
- **连续源漏二极管电流(IS)**：-4.1A/-2.0A（取决于环境温度）。
- **雪崩电流(IL)**：0.1mA。
- **单脉冲雪崩能量(AS)**：20mJ。
- **最大功率耗散(PD)**：5.0W（TJ=150°C）。
- **操作结温(TJ)**：-55至150°C。
#### 热阻
- **结到壳的最大热阻(RthJA)**：3850°C/W（脉冲测试，宽度≤300μs，占空比≤2%）。
- **结到脚的最大热阻(RthJF)**：2025S。
#### 封装与布局
- **封装类型**：SO-8。
- **引脚布局**：提供顶视图展示引脚排列情况。
#### 性能指标
- 在25°C的标准环境下，静态特性包括：
- **漏源击穿电压(VDS)**：在VGS=0V，ID=-250μA条件下测量。
- **温度系数**：未给出具体数值。
#### 使用注意事项
- 超出绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏。
- 这些额定值仅用于标识极限条件，并不代表器件在这些条件下能够正常工作。
- 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
### 结论
FW104-TL-E-VB是一款高性能的双P-Channel MOSFET，适用于各种负载开关和其他需要高效电源管理的应用。它的低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能使其成为许多电子系统的理想选择。此外，该器件还符合环保标准，适合用于要求严格的工业和商业环境中。
