FW104-TL-E-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管

### FW104-TL-E-VB：一款SOP8封装双P-Channel场效应MOS管 #### 概述 FW104-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi制造。该产品具有两个独立的P-Channel MOSFET单元，每个单元均具备良好的电气性能。它适用于负载开关等应用场合。 #### 技术特点 - **无卤素**：符合环保标准，不含卤素。 - **TrenchFET®功率MOSFET**：采用了先进的沟槽技术，降低了导通电阻和提高了开关性能。 - **100% UIS测试**：确保每个器件都经过了严格的UIS（Unclamped Inductive Switching）测试，以验证其在非钳位感性开关条件下的可靠性。 #### 主要参数 - **工作电压(VDS)**：最大为-30V。 - **导通电阻(RDS(on))**：当VGS=-10V时，最小值为0.035Ω；当VGS=-4.5V时，最小值为0.045Ω。 - **最大连续漏极电流(ID)**：-7.3A/-7.0A（取决于环境温度）。 - **门极电荷(Qg)**：典型值为17nC。 - **阈值电压(Vth)**：-1.5V。 #### 应用领域 - **负载开关**：用于电源管理和负载控制的应用中，例如，在计算机、服务器、电信设备等电子系统中的电源管理部分。 - **其他应用**：还可用于信号处理、电机控制等场合。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**：最大-30V。 - **栅源电压(VGS)**：±20V。 - **连续漏极电流(ID)**：-7.3A/-7.0A（取决于环境温度和热阻）。 - **脉冲漏极电流(IP)**：具体数值未给出。 - **连续源漏二极管电流(IS)**：-4.1A/-2.0A（取决于环境温度）。 - **雪崩电流(IL)**：0.1mA。 - **单脉冲雪崩能量(AS)**：20mJ。 - **最大功率耗散(PD)**：5.0W（TJ=150°C）。 - **操作结温(TJ)**：-55至150°C。 #### 热阻 - **结到壳的最大热阻(RthJA)**：3850°C/W（脉冲测试，宽度≤300μs，占空比≤2%）。 - **结到脚的最大热阻(RthJF)**：2025S。 #### 封装与布局 - **封装类型**：SO-8。 - **引脚布局**：提供顶视图展示引脚排列情况。 #### 性能指标 - 在25°C的标准环境下，静态特性包括： - **漏源击穿电压(VDS)**：在VGS=0V，ID=-250μA条件下测量。 - **温度系数**：未给出具体数值。 #### 使用注意事项 - 超出绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏。 - 这些额定值仅用于标识极限条件，并不代表器件在这些条件下能够正常工作。 - 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。 ### 结论 FW104-TL-E-VB是一款高性能的双P-Channel MOSFET，适用于各种负载开关和其他需要高效电源管理的应用。它的低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能使其成为许多电子系统的理想选择。此外，该器件还符合环保标准，适合用于要求严格的工业和商业环境中。