### AM2328NE-T1-PF-VB 概述
AM2328NE-T1-PF-VB是一款采用SOT-23封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高效率等特点，适用于多种电源管理应用场合，尤其是DC/DC转换器中。
### 特性详解
#### 卤素免费
根据IEC 61249-2-21定义，这款MOSFET为卤素免费设计，符合环保要求。
#### TrenchFET® Power MOSFET技术
该MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，这种技术能够显著降低导通电阻，提高效率，并减小芯片尺寸。
#### 100% Rg测试
每个器件都经过了严格的Rg（栅极电阻）测试，确保产品的一致性和可靠性。
#### 符合RoHS指令
该器件完全符合欧盟RoHS（有害物质限制指令）2002/95/EC的要求，不含铅等有害物质。
### 主要参数
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|-----------------------------------------|--------|------|------|------|----|
| Drain-Source电压（VDS） | VDS | - | 30 | - | V |
| Drain-Source导通电阻（RDS(on)） | RDS(on)| - | 0.030| - | Ω |
| 连续Drain电流（ID）（TJ=150°C） | ID | - | 6.5 | - | A |
| Qg典型值 | Qg | - | 4.5 | - | nC |
| 导通电阻（RDS(on)）（VGS=4.5V） | RDS(on)| - | 0.033| - | Ω |
| 连续Drain电流（ID）（TC=70°C） | ID | - | 6.0 | - | A |
| Gate-Source电压（VGS） | VGS | - | ±20 | - | V |
| 开启阈值电压（Vth） | Vth | 1.2 | - | 2.2 | V |
### 应用场景
- **DC/DC转换器**：适用于各种DC/DC转换器应用，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源系统等。
- **负载开关**：在需要高效能、低损耗的负载开关应用中表现出色。
- **电机控制**：适用于小型电机驱动，提供精确的电流控制能力。
- **电源管理模块**：适用于需要高效率电源管理的电子产品中，如智能手机充电管理、便携式电子设备等。
### 绝对最大额定值
- **Drain-Source电压(VDS)**：30V
- **Gate-Source电压(VGS)**：±20V
- **连续Drain电流(ID)**：取决于结温(TJ)和环境温度(TA)，范围从5.0A至6.5A
- **脉冲Drain电流(IDM)**：25A
- **连续Source-Drain二极管电流(IS)**：1.4A（TC=25°C）、0.9A（TA=25°C）
- **最大功率耗散(PD)**：1.7W（TC=25°C）、1.1W（TC=70°C）
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至150°C
### 热阻特性
- **最大结温到环境温度热阻(RthJA)**：90°C/W（典型值）、115°C/W（最大值）
- **最大结温到脚部（Drain）热阻(RthJF)**：60°C/W（典型值）、75°C/W（最大值）
### 测试条件
- **静态特性**
- **Drain-Source击穿电压(VDS)**：在VGS=0V，ID=250µA条件下测量。
- **VDS温度系数(ΔVDS/TJ)**：在ID=250µA条件下测量。
- **开启阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ)**：未给出具体数值，但一般随温度升高而略有增加。
### 总结
AM2328NE-T1-PF-VB是一款性能优秀的N-Channel沟道MOSFET，具有较低的导通电阻、宽广的工作温度范围以及较高的耐压能力，非常适合用于高效率的DC/DC转换器和其他电源管理系统中。此外，其采用的SOT-23封装形式使得它能够在有限的空间内实现高性能表现，满足紧凑型设计的需求。
