19AM3808NE-T1-PF-VB一款N+N-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

19AM3808NE-T1-PF-VB；Package：SOT23-6；Configuration：Dual-N+N-Channel；VDS：20V；VGS：20（±V）；Vth：0.5~1.5V；RDS(ON)=28mΩ@VGS=2.5V；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V；ID：6A；Technology：Trench；