2312N-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2312N-VB MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 2312N-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT23封装形式。这款晶体管具有20V的最高工作电压和6A的最大连续电流能力。它在VGS为4.5V时的导通电阻RDS(ON)为24mΩ，阈值电压Vth范围为0.45V到1V。 #### 特点 - **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，2312N-VB是无卤素产品。 - **TrenchFET®功率MOSFET**：利用先进的TrenchFET技术，提高了器件的性能和效率。 - **100% Rg测试**：确保了每个产品的栅极电阻得到精确测量，提高了器件的一致性和可靠性。 - **符合RoHS指令2002/95/EC**：符合欧盟关于限制使用某些有害物质的指令。 #### 应用场景 - **DC/DC转换器**：适用于各种电源转换电路，如开关电源、电池供电设备等。 - **便携式设备负载开关**：用于手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源管理。 #### 产品规格概览 - **导通电阻RDS(on)**：当VGS为4.5V时，RDS(on)为24mΩ；当VGS为8V时，RDS(on)进一步降低。 - **最大VDS电压**：20V。 - **最大连续电流ID**：6A。 - **栅极电荷Qg**：典型值为8nC，当VGS为2.5V时。 - **阈值电压Vth**：0.45V至1V之间。 #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值规定了晶体管能够承受的极限条件。这些条件如果超出可能会导致永久性的损坏： - **漏源电压VDS**：最大值为20V。 - **栅源电压VGS**：±12V。 - **连续漏极电流ID**： - 在TJ=150°C时最大值为6A。 - 在TC=70°C时最大值为5.15A。 - **脉冲漏极电流IDM**：最大值为20A，在TC=25°C下。 - **连续源极-漏极二极管电流CIS**：最大值为1.75A，在TC=25°C下。 - **最大功耗PD**： - 在TC=70°C时最大值为2.1W。 - 在TA=25°C时最大值为1.3W。 - **工作结温范围TJ, Tstg**：-55°C至150°C。 - **焊接推荐温度**：峰值温度不超过260°C。 #### 热阻参数 热阻参数提供了器件内部热量传输的相关数据： - **结到环境热阻RthJA**：最大值为100°C/W。 - **结到脚（漏极）热阻RthJF**：最大值为60°C/W。 #### 测试条件 为了确保器件性能的一致性，以下测试条件被规定： - **静态电压VDS**：在VGS=0V，ID=250µA条件下测试。 ### 总结 2312N-VB作为一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，采用了先进的制造工艺和技术标准，使其在各种应用场景下都能表现出色。其广泛的应用范围包括但不限于DC/DC转换器和便携式设备负载开关。此外，该器件还具备良好的热性能和可靠的电气特性，确保了在不同工作条件下的稳定性和安全性。