### BSR802N-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
本文档旨在详细介绍BSR802N-VB这款N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管的关键特性、参数及其应用场景。该器件是一款高性能、低功耗的功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，尤其是在电源管理和转换领域。
#### 主要特点
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，该MOSFET是无卤素的。
- **TrenchFET® 功率MOSFET**：采用了先进的沟槽栅极技术(TrenchFET®)，显著提高了开关性能，降低了导通电阻(RDS(on))。
- **全Rg测试**：每个器件都经过了严格的Rg（栅极电阻）测试，确保了一致性和可靠性。
- **符合RoHS指令2002/95/EC**：符合欧盟关于限制在电子电气设备中使用某些有害物质的要求。
#### 应用场景
- **DC/DC转换器**：由于其低导通电阻和快速开关能力，BSR802N-VB非常适合用于高效率的DC/DC转换器设计。
- **电池管理电路**：在电池充电控制和保护电路中发挥关键作用。
- **马达驱动**：适用于小型电机驱动应用，如风扇、泵等。
- **通用电源开关**：在需要高效电源开关的应用中表现出色。
#### 产品概览
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|------------------|------------|--------|--------|--------|----------|
| 排放电压 | VDS | - | 30 | - | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.030 | - | Ω @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 | ID | - | - | 6.5 | A @ TJ=150°C |
| 总栅极电荷 | Qg (Typ.) | - | 4.5 | - | nC |
#### 绝对最大额定值
- **排水源电压**：VDS = 30V
- **门源电压**：VGS = ±20V
- **连续漏极电流**：
- TC = 25°C时，ID = 6.5A
- TC = 70°C时，ID = 5.0A
- **脉冲漏极电流**：IDM = 25A
- **连续源漏电流**：
- TC = 25°C时，IS = 1.4A
- TA = 25°C时，IS = 0.9A
- **最大功耗**：
- TC = 25°C时，PD = 1.7W
- TC = 70°C时，PD = 1.1W
- **工作结温和存储温度范围**：TJ, Tstg = -55°C 至 150°C
- **热阻**：
- 结到环境：RthJA = 90°C/W (典型)
- 结到脚(排水极)：RthJF = 60°C/W (典型)
#### 规格说明
- **静态参数**
- **排源击穿电压**：VDS，当VGS = 0V，ID = 250µA时，最小值为30V
- **排源击穿电压温度系数**：ΔVDS/TJ，在ID = 250µA条件下，最小值为31mV/°C
- **阈值电压温度系数**：ΔVGS(th)
#### 封装及尺寸
- **封装类型**：SOT23
- **引脚排列**：G（栅极）、S（源极）、D（漏极）
- **封装尺寸**：采用标准SOT23封装，适合表面贴装。
#### 使用注意事项
- 超过“绝对最大额定值”的应力可能会导致永久性损坏。
- 设备在这些或任何其他条件下的功能操作并未得到保证，除非这些条件在规格的操作部分中有明确指示。
- 长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。
#### 结论
BSR802N-VB是一款性能优异的N-Channel沟道SOT23封装MOSFET晶体管，具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的温度稳定性等特点。其广泛应用于电源管理、转换器以及其他需要高效能电力转换的应用中。通过对其详细参数和技术特性的了解，可以更好地利用该器件来提高系统效率并降低能耗。
