RU30L30M-VB一种P沟道DFN8(3X3)封装MOS管

RU30L30M-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用DFN8（3x3）封装，适用于电源管理、负载开关和适配器开关等应用。这款MOSFET具有以下特点： 1. **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤素要求，这意味着它不含有某些有害物质，有利于环保和设备的长期使用。 2. **TrenchFET技术**：采用了TrenchFET工艺，这是一种先进的制造技术，通过在硅片上蚀刻深沟槽来提高MOSFET的性能，降低导通电阻，从而提高效率并减少发热。 3. **低热阻PowerPAK封装**：这种小型化、低1.07毫米轮廓的封装设计，具有低热阻特性，有助于快速散热，确保器件在高温工作环境下的稳定性。 4. **严格的测试标准**：100%进行Rg（栅极电荷）和UIS（雪崩耐受电流）测试，确保产品的可靠性和耐用性，并且符合RoHS指令2002/95/EC的规定。 5. **电气参数**： - **额定漏源电压VDS**：最大为30V，这意味着在正常工作条件下，器件可以承受的最大电压差为30V。 - **额定栅源电压VGS**：±20V，表明器件可承受的最大栅极-源极电压范围。 - **连续漏极电流ID**：在不同温度下，如25°C时为-45A，70°C时为-11.5A。 - **脉冲漏极电流IDM**：最大脉冲漏极电流为60A，确保了短时间大电流脉冲的处理能力。 - **连续源漏二极管电流IS**：在25°C时为-3.2A，提供二极管整流功能。 - **雪崩电流IAS**：在特定条件下的安全雪崩电流为-25A，允许器件在雪崩模式下工作而不受损。 - **单脉冲雪崩能量EAS**：最大值为31.25mJ，表示器件能够承受的单个雪崩能量。 - **最大功率耗散PD**：不同温度下的最大功率损耗，例如25°C时为52W，70°C时为2.4W。 6. **热性能**：给出了热阻典型值和最大值，以及不同条件下的最大结温（TJ）和储存温度（Tstg），保证了器件在各种工作环境下的热稳定性。 7. **安装与焊接建议**：对于无引脚组件，不推荐使用烙铁手动焊接，建议遵循规定的峰值温度焊接条件。 RU30L30M-VB MOSFET的这些特性使其成为轻载应用的理想选择，如笔记本电脑和其他便携式设备中的电源路径管理，它能够提供高效、可靠且紧凑的电源控制解决方案。为了获得最佳性能和寿命，用户应遵循制造商提供的使用和焊接指导。如需更多详细信息或技术支持，可以通过提供的服务热线400-655-8788联系制造商VBsemi。