SM4307PSKPC-TRG-VB一种P沟道DFN8(5X6)封装MOS管

SM4307PSKPC-TRG-VB是一款P沟道MOSFET，采用DFN8（5x6）封装，适用于电源适配器开关应用。这款MOSFET具有以下特点： 1. 扩展的VGS工作范围：±25V，适合在需要宽电压范围的应用中作为开关元件。 2. 极低的导通电阻（RDS(on)）：在-10V的栅极电压下，典型值仅为0.0080Ω，这表示在导通状态下，电流流过时产生的电压降很小，能有效降低功率损耗。 3. TrenchFET技术：采用了沟槽式MOSFET结构，这种设计可以显著减小芯片面积并降低导通电阻，从而提高效率。 4. 100%的Rg和UIS测试：确保了产品的可靠性和栅极电阻的稳定性，并通过了雪崩能量测试，具备较高的浪涌承受能力。 5. 高ESD性能：典型人体模型(HBM)下的静电放电耐受能力达到4000V，增强了抗静电干扰的能力。 产品规格摘要： - 最大漏源电压VDS为-30V，意味着器件可以在不超过-30V的电压下安全工作。 - 栅源电压VGS的绝对最大值为±20V，超出这个范围可能会对器件造成永久性损坏。 - 持续漏极电流ID在25°C和150°C时分别为-60A和-50.7A，70°C时则为-47.3A，这些数值表明随着温度升高，器件的电流承载能力会下降。 - 脉冲漏极电流IDM的最大值为-150A，适用于短暂的大电流脉冲应用。 - 持续源漏极二极管电流IS在25°C时为-58A，而瞬态热阻RthJA的典型值为33°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，器件的结温将上升33°C。 安全操作区域和存储温度范围为-55°C到150°C，保证了器件在不同环境条件下的稳定工作。 此外，还提供了最大结壳热阻RthJF的数值，用于评估器件在不同散热条件下的表现。DFN8（5x6）封装的尺寸和热特性也进行了详细说明，如6.15mm和5.15mm的尺寸以及不同位置的热阻。 SM4307PSKPC-TRG-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，特别适用于需要低导通电阻和良好热特性的电源管理应用，如电池供电设备、直流-直流转换器和负载开关等。其制造商VBsemi提供了技术支持和联系方式，方便用户获取更多关于该器件的信息。