FQB50N06-VB N沟道TO263封装MOS管
FQB50N06-VB是一种N沟道TO263封装MOS管，具有高温工作能力和低电阻特性。下面是该MOS管的详细知识点：
参数
* 连续漏极电流（TJ = 175 °C）：75 A
* 脉冲漏极电流（TJ = 25 °C）：200 A
* 连续源极电流（Diode Conduction）：50 A
* 漂移电流（Duty Cycle ≤ 1 %）：50 A
* 单个雪崩能量（L = 0.1 mH）：125 mJ
* 最大功率损耗（TC = 25 °C）：136 W
* 工作结温范围：- 55 to 175°C
热阻特性
* 最大结温热阻（at ≤ 10 sec）：1518 °C/W
* 稳态结温热阻：4050 °C/W
* 结-case热阻：0.851.1 °C/W
静电特性
* 漏源断电压（VGS = 0 V, ID = 250 µA）：60 V
* 门限电压（VDS = VGS, ID = 250 µA）：13 V
* 门-体漏电流（VDS = 0 V, VGS = ± 20 V）：± 100 nA
* 零门电压漏极电流（VDS = 60 V, VGS = 0 V）：1 µA
* 漏极-源电阻（VGS = 10 V）：11 mΩ
* 漏极-源电阻（VGS = 4.5 V）：12 mΩ
应用注意
* 该MOS管适用于高温应用，具有高温工作能力和低电阻特性。
* 在设计时需要注意绝对最大额定值，以免对器件造成永久性损害。
* 需要注意热阻特性，以免影响器件的可靠性。
热线信息
* 客服热线：400- 655- 8788
FQB50N06-VB N沟道TO263封装MOS管是一种高性能的MOS管，适用于高温应用，具有高温工作能力和低电阻特性，但需要注意绝对最大额定值和热阻特性，以免对器件造成永久性损害。
