IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管知识点总结
本文将对IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管的各项参数和特性进行详细的解释和分析。
概述
IRFZ24NSPBF-VB是一种N沟道TO263封装MOS管，具有高性能和高可靠性的特点。该MOS管适合于各种电子设备和系统，例如电源管理、电机控制、照明系统等。
特性
IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管具有以下特性：
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition，符合国际环境保护标准。
* Surface Mount，支持表面贴装技术。
* Available in Tape and Reel，支持卷带式封装。
* Dynamic dV/dt Rating，具有高动态dv/dt评级。
* Logic-Level Gate Drive，支持逻辑电平门控驱动。
* Fast Switching，具有快速开关特性。
* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC，符合欧盟RoHS指令。
绝对最大额定值
IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管的绝对最大额定值包括：
* Drain-Source Voltage VDS：60V
* Gate-Source Voltage VGS：±10V
* Continuous Drain Current ID：50A（TC = 25°C），36A（TC = 100°C）
* Pulsed Drain Current IDM：200A
* Linear Derating Factor：1.0W/°C
* Single Pulse Avalanche Energy EAS：400mJ
热阻抗
IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管的热阻抗包括：
* Maximum Junction-to-Ambient RthJA：-62°C/W
* Maximum Junction-to-Ambient (PCB Mount) RthJA：-40°C/W
* Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC：-1.0°C/W
静态参数
IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管的静态参数包括：
* Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS：60V
* Static Drain-Source On-State Resistance RDS(on)：0.023Ω（VGS = 10V），0.027Ω（VGS = 4.5V）
* Gate-Source Threshold Voltage VGS(th)：2.5V
* Gate Drain Charge Qg：66nC（VGS = 10V），40nC（VGS = 4.5V）
IRFZ24NSPBF-VB N沟道TO263封装MOS管是一种高性能和高可靠性的MOS管，适合于各种电子设备和系统。
