SAMSUNG-K7J641882M.pdf

《三星K7J641882M DDR II SIO b2 SRAM技术规格详解》 三星的K7J641882M是一款高性能的DDR II SIO b2 SRAM，专为需要高速数据处理的应用而设计。这款内存芯片采用165 FBGA（Fine Ball Grid Array）封装，既支持含铅工艺，也符合RoHS（Restriction of Hazardous Substances）无铅标准，确保了其在环保方面的合规性。值得注意的是，三星保留了在不预先通知的情况下更改产品或规格的权利。 该SRAM分为2Mx36位和4Mx18位两种配置，提供灵活的选择以满足不同应用的需求。2Mx36表示每个存储单元由36位组成，总共有2M（即2百万）这样的单元；4Mx18则意味着每个存储单元为18位，总数达到4M。这种内存设计旨在实现更快的数据传输速度和更高的系统性能。 文档强调，虽然提供了关于三星产品的信息，但这些信息可能会随时变更，且不构成对三星产品或技术的任何知识产权的明示或暗示许可。同时，提供的所有信息基于“原样”基础，不提供任何保证或担保。用户在使用三星产品时，应考虑到产品可能存在的风险，特别是在生命维持、关键医疗设备、安全设备或类似应用场景中，产品故障可能导致生命损失或人身伤害。 为了获取更新或更详细的信息，用户可以联系最近的三星办事处。三星电子将对关于此设备参数的询问进行评估和回应。任何问题可以通过与当地三星办公室、电话或总部联系来解决。 修订历史记录显示，这份文档经历了多个版本的迭代，从初始版到最终版，包含了对JTAG ID寄存器定义的修正、AC定时参数的调整、电源启动序列的添加、引脚名称表的更正以及功耗（Icc & Is）的更新等改进，体现了三星对产品文档的严谨性和持续优化的态度。 三星K7J641882M是一款适用于高要求环境的DDR II SIO b2 SRAM，具备高性能、高可靠性及环保特性，但用户在使用前应了解并注意其潜在风险，并保持与三星的紧密沟通以获取最新技术支持和信息更新。