SAMSUNG-K7D161874B.pdf

《SAMSUNG-K7D161874B.pdf》文档主要介绍了三星电子生产的两款同步双倍速率SRAM芯片——K7D161874B和K7D163674B。这两款芯片是高性能的存储解决方案，采用先进的CMOS工艺制造。 1. **产品概述** K7D163674B和K7D161874B是18,874,368位的同步管道突发模式SRAM器件。它们分别以524,288字×36位（K7D163674B）和1,048,576字×18位（K7D161874B）的组织形式提供。这种设计适用于需要高速数据处理和高存储容量的应用场景。 2. **技术规格** - **工作电压**：支持1.8V到2.5V的VDD工作电压范围。 - **电流特性**：在Rev 1.1版本中，对于x36配置，操作电流增加了40mA；对于x18配置，操作电流增加了60mA。此外，Stop Clock Standby电流ISB1从100mA增加到150mA。 - **JTAG接口**：Rev 1.1更新了JTAG指令编码，对预留的JTAG指令进行了调整。 - **输入定义**：文档新增了VIN-CLK、VDIF-CLK和VCM-CLK的直流特性，并添加了交流输入特性。 3. **操作频率** K7D163674B和K7D161874B有不同的操作频率选项，如HC375对应375MHz、HC333对应333MHz、HC303对应300MHz和HC27对应275MHz，这允许用户根据系统需求选择合适的速度等级。 4. **时序特性** 两款芯片都使用单差分HSTL（High-Speed Transceiver Logic）级别时钟K和K'，在时钟K的上升沿，地址和突发控制输入被注册，所有内部操作都是自定时的，确保了高效的同步操作。 5. **订购信息** 芯片的订购型号与最大工作频率相关，例如，K7D163674B-HC375表示12Kx36配置，最大工作频率为375MHz。 6. **兼容性与应用** 这些SRAM芯片适用于需要高速数据传输和低延迟的系统，如高性能计算、网络设备、图形处理器和通信基础设施等。 7. **技术支持** 三星电子提供了详细的数据表，并承诺对关于该设备参数的问题进行评估和回应。用户可以通过联系三星的当地分支机构或总部获取技术支持。 总结，K7D161874B和K7D163674B是高性能的同步SRAM，具备灵活的工作电压和频率选择，适用于对速度和容量有高要求的现代电子系统。三星电子通过持续的技术更新和优化，确保了这些产品的先进性和可靠性。