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《SAMSUNG KM6264B：一款高性能CMOS静态RAM》 三星的KM6264B系列是一款基于先进CMOS工艺技术制造的静态随机存取存储器（SRAM）。这款产品以其出色的性能、广泛的温度适应性和灵活的封装类型，为系统设计提供了极高的灵活性。KM6264B家族包括多个型号，如KM6264BL、KM6264BL-L、KM6264BLE等，分别适用于商业、扩展和工业级的不同温度范围。 KM6264B家族的突出特性之一是其低数据保留电压功能，支持电池备份操作。在低数据保留模式下，该器件能以极低的数据保留电流运行，最低数据保留电压为2伏特。这使得它在需要长时间保持数据的系统中表现出色，比如在电源中断时保护关键信息。 该系列的电源电压为单5伏特，误差允许在±10%之内。它采用了TTL兼容的三态输出，确保了与其他电路的兼容性。存储容量为8K x 8位，即64KB，满足了中等规模数据存储的需求。封装类型遵循JEDEC标准，提供28引脚双列直插（DIP）和小外形封装（SOP）两种形式。 引脚描述包括电源输入Vcc、写使能输入/WE、芯片选择输入CS1和CS2、输出使能输入/OE以及8个数据输入/输出引脚I/O1至I/O8。其中，Vss代表接地，N.C.表示未连接的引脚。功耗方面，待机状态下的最大电流Isb1分别为100微安、10微安、100微安和50微安，而操作状态下的电流Icc2则取决于具体型号和封装类型。 KM6264B的内部结构包括地址解码器、行解码器、控制逻辑、I/O缓冲区和存储单元阵列。地址线A0至A12、片选线CS1和CS2、写使能线/WE以及输出使能线/OE共同决定了数据的读写操作。每个I/O引脚都连接到存储阵列，通过控制逻辑进行数据的存取。 产品列表和订购信息列出了各种速度等级和温度范围的产品型号，如KM6264BLP-7、KM6264BLP-7L等，它们分别对应70ns、100ns和120ns的速度等级，并有L-pwr（低功率）和LL-pwr（超低功率）的区别，以及针对不同温度范围的商业、扩展和工业级产品。 三星的KM6264B是一款高效、可靠的CMOS SRAM，适合于需要高性能、低功耗和宽温操作的多种应用场景，如嵌入式系统、移动设备和工业控制系统等。其多样的选项和出色的功能使其成为系统设计师的首选存储解决方案之一。