SAMSUNG-KM681000E.pdf

文档标题为“SAMSUNG-KM681000E.pdf”，而文档描述中仅复述了该标题。在提供的部分内容中，我们可以看到文档描述了一款由三星电子出品的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的产品信息。该存储器型号为KM681000EF，具备128Kx8bit的容量，是低功率CMOS SRAM。文档提供了该产品家族的修订历史、产品特性以及相关的技术参数。 从文档内容中可以提炼出以下几个关键知识点： 1. 产品型号解读：文档中提及的KM681000EF表示了一款128Kx8位的CMOS SRAM产品，其中“K”代表该产品是存储器类别，“M”表示位数，而“68”则代表容量为64K位，乘以2表示总的存储容量为128Kx8位。 2. CMOS SRAM技术：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术广泛用于现代电子存储设备中，特别是在SRAM中，它以低功耗、高速度著称。SRAM依靠双稳态电路存储信息，因此不需要刷新，并且读写速度快，但其价格较贵且集成度不如DRAM。 3. 低功耗设计：文档中提到的是低功率CMOS SRAM，这表明了该设备在保持高速操作的同时，还着重考虑了功耗问题，适合于需要低功耗特性的应用，比如移动设备、便携式电子产品等。 4. 电源电压（Power Supply Voltage）：文档中说明了产品的电源电压范围在4.5V至5.5V之间。这表示该SRAM设计用于使用5V电源电压的系统，但能在一定范围内浮动，为设计人员提供了电源设计的灵活性。 5. 数据保持电压（Low Data Retention Voltage）：文档指出低数据保持电压为2V（最小值）。这意味着即便在较低的电压下，SRAM仍能保持存储数据不丢失，这在电池供电或后备电源系统中非常有用。 6. 组织结构：文档提到了TFT组织结构，虽然此处出现“TFT”一词可能是一个OCR错误，实际上应该指的是SRAM的存储阵列组织结构。在SRAM中，TFT可能是指一种具体的存储单元结构或制造技术。 7. 三态输出（Three-state output）：文档中提到了三态输出功能，这表示该SRAM输出端除了逻辑高（1）和逻辑低（0）之外，还能处于高阻态（Z），即在不传输数据时，输出端与电路其他部分断开，不会对其他电路产生影响，为系统设计带来了更大的灵活性。 8. 生产日期和修订历史：文档中列出了该产品家族的修订历史，提及了产品最初的日期标记为1999年12月。这表明了产品从初步设计（Preliminary）到最终设计（Final）经历了多个版本迭代，每个版本都包含设计目标、改进记录以及错误修正等信息。 9. 设计目标：文档提到了设计目标和改进以适应不同产品，比如从55ns改善到50ns和70ns，以及移除55ns的速度信息。这说明了该产品家族在不断调整以满足不同市场需求。 10. 封装和温度范围：文档暗示了产品具有多种封装类型和可操作的温度范围，以及为系统设计的灵活性。这指的是SRAM产品可以根据不同的工业标准和设计需求选择不同的封装形式，以及在较宽的温度范围内稳定工作。 根据文档内容，还可以推测出三星电子通过其先进的CMOS工艺技术来生产这款SRAM产品，它支持不同的操作温度范围和封装类型，以及适合于电池供电或低功耗应用的需求。这款产品在发布时经历了几个修订版本，并最终定型，拥有详细的数据表作为技术支持文件。文档最后提到，如果用户有任何问题，可以联系三星电子的分公司或办事处寻求帮助。