RB3711B-SOT-23封装单节锂电池保护IC 深圳市可芯电子有限公司.pdf

### RB3711B-SOT-23封装单节锂电池保护IC #### 一、概述 RB3711B是一款内置MOSFET的单节锂电池保护芯片，由深圳市可芯电子有限公司生产。该芯片设计用于保护单节锂离子/锂聚合物可充电电池组，具有低功耗特性及低阻抗的内置MOSFET。其主要功能包括： - **充电过压保护** - **充电过流保护** - **放电过压保护** - **放电过流保护** - **过热保护** - **短路保护** RB3711B采用SOT-23封装，简化了外部电路设计，仅需一个电阻和一个电容即可实现稳定可靠的工作。 #### 二、特性与规格 **1. 内置MOSFET特性：** - 内置MOSFET的导通电阻（Rds(on)）为53~60mΩ。 - 支持高达9V的充电器输入电压。 **2. 封装形式：** - 采用紧凑型SOT-23封装。 **3. 过温保护：** - 内置过温保护机制，当芯片温度达到155°C时触发过温保护。 - 过温保护释放温度为120°C。 **4. 静态电流与休眠电流：** - 静态工作电流为1.3μA。 - 休眠电流仅为0.3μA。 **5. 典型应用与配置：** - 应用范围广泛，适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池组。 - 通过简单配置外部电阻R1（100Ω-1kΩ）和电容C1（0-1uF），可实现芯片自动激活。 - 支持多种工作模式，包括正常工作模式、充电模式、放电模式和休眠模式。 **6. 绝对最大额定值：** - 供电电压范围：-0.3V至8V。 - 充电器输入电压范围：-8V至10V。 - 存储温度范围：-55°C至145°C。 - 结温范围：-40°C至145°C。 **7. 推荐工作条件：** - 供电电压：0V至6V。 - 充电器输入电压：-6V至6V。 - 存储温度范围：-40°C至85°C。 **8. 电气参数：** - 过充检测电压：4.25V至4.35V。 - 过充解除电压：4.03V至4.17V。 - 过放检测电压：2.70V至2.90V。 - 过放解除电压：2.9V至3.1V。 - 过流检测电流：0.4A至1.3A。 - 短路电流检测阈值：3.55A。 #### 三、工作模式 **1. 正常工作模式：** - 当没有检测到任何异常时，充电和放电过程可以自由转换。 **2. 过充电压情况：** - 在正常充电过程中，如果电池电压超过过充检测电压（4.30V）并持续一段时间，则触发过充保护。 - 过充检测电压延时为100ms。 **3. 过放电压情况：** - 在放电过程中，如果电池电压低于过放检测电压（2.80V）并持续一段时间，则触发过放保护。 - 过放检测电压延时同样为100ms。 **4. 过流检测情况：** - 放电过程中存在两种过流检测机制： - 第一种过流检测延时为120ms。 - 第二种过流检测延时为2ms。 - 短路电流检测延时为150μs。 **5. 休眠模式：** - 当电池电压低于休眠电压阈值时，芯片进入休眠模式，此时休眠电流仅为0.3μA。 - 休眠状态下，芯片几乎不消耗电能，有助于延长电池寿命。 #### 四、应用电路示例 RB3711B的典型应用电路非常简单，仅需一个外部电阻（R1）和一个电容（C1）即可实现电池组的有效保护。这种简单的设计使其非常适合于便携式设备和其他需要小型化和低功耗的应用场景。 **1. 外部组件配置：** - 电阻R1：建议选择100Ω至1kΩ之间的阻值。 - 电容C1：建议选择0至1uF之间的容值。 **2. 引脚定义：** - VM：充电器或负载负电压接入端。 - VDD：电源端。 - GND：芯片地，连接电池负极。 #### 五、总结 RB3711B是一款专为单节锂离子/锂聚合物电池设计的高度集成的保护芯片，具备全面的保护功能和优异的性能指标。其低功耗设计、紧凑的封装以及简单的外部电路配置使得它成为移动设备和便携式电子产品中的理想选择。此外，该芯片还符合欧洲“ROHS”标准，是一款环保的无铅产品。