RB362B-SOT23-6封装 单节锂电池保护IC 深圳市可芯电子有限公司.pdf

### RB362B-SOT23-6封装单节锂电池保护IC关键技术知识点 #### 一、概述 **RB362B**是一款专为单节锂电池设计的保护芯片，其核心特点在于集成了MOSFET，这使得它不仅能够提供高效的保护功能，还能保持较低的功耗和较小的体积。此款芯片由深圳市可芯电子有限公司生产。 #### 二、技术特性 1. **内置MOSFET**：芯片内部集成50mΩ MOSFET，降低了外部电路的复杂性和成本。 2. **SOT23-6封装**：采用小型化封装形式，便于集成于紧凑型电子产品中。 3. **过温保护**：内置过温保护机制，能够在温度过高时自动切断电源，避免因过热导致的安全隐患。 4. **高耐压能力**：可以承受高达9V的充电器电压，适用于更广泛的充电设备。 5. **双重过放电流检测**：具备两重过放电流检测保护功能，确保电池在低电量状态下的安全使用。 6. **超低静态电流**：静态工作电流仅为1.5μA，休眠电流低至0.3μA，极大地减少了不必要的能量消耗。 7. **符合ROHS标准**：是一款绿色环保的产品，不含铅等有害物质，符合国际环保法规的要求。 #### 三、应用场景 - **单节锂离子可充电电池组**：适用于手机、数码相机等便携式电子产品的电池组。 - **单节锂聚合物可充电电池组**：广泛应用于移动电源、蓝牙耳机等产品中。 #### 四、工作原理与应用电路 - **自动激活**：通过设置特定的电阻R1（阻值470Ω-2kΩ）和电容C1（容值0-1uF），当电池连接到电芯后，芯片能够自动启动并进入正常工作状态。 - **典型应用电路**：通常只需要一个电阻和一个电容即可构成完整的保护电路，简化了外部电路的设计。 - **封装和引脚定义**： - **管脚1和4（NC）**：未使用的引脚，一般悬空。 - **管脚2（VM）**：充电器或负载负电压接入端。 - **管脚3和6（GND）**：芯片地，必须连接到电芯的负极。 - **管脚5（VDD）**：电源端，用于给芯片供电。 #### 五、绝对最大额定值 - **供电电压(VDD和GND间电压)**：-0.3V~8.0V。 - **充电器输入电压（VM和GND间电压)**：-8.0V~11.0V。 - **存储温度范围**：-55°C~145°C。 - **结温**：-40°C~145°C。 - **功率损耗**：在环境温度25°C时，最大为400mW。 #### 六、推荐工作条件 - **供电电压(VDD和GND间电压)**：0V~6.0V。 - **充电器输入电压（VM和GND间电压)**：-6.0V~6.0V。 - **存储温度范围**：-40°C~85°C。 #### 七、电气参数 - **检测电压**： - **过充检测电压**：4.25V~4.35V。 - **过充解除电压**：4.08V~4.20V。 - **过放检测电压**：2.35V~2.55V。 - **过放解除电压**：2.9V~3.1V。 - **检测电流**： - **过放电流检测1**：1.3A~5.2A。 - **过放电流检测2**：0.57A~0.09A。 - **短路电流检测**：8mA~14mA。 - **充电电流检测**：2.8A~5.5A。 - **电流损耗**： - **工作电流**：1.55μA（VM悬空）。 - **休眠电流**：0.31μA（VDD=2V）。 - **MOSFET内阻**： - **VM到GND内阻**：45mΩ~55mΩ（IVM=1.0A）。 - **过温保护**： - **检测温度**：155°C。 - **释放温度**：120°C。 #### 八、功能描述 **RB362B**能够实时监控电池的电压和电流变化，并通过控制充电器或负载的通断来实现过充、过放、过流及短路等异常情况下的保护。支持正常工作模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠模式等多种工作模式。 #### 九、总结 RB362B是一款高性能、高集成度的单节锂电池保护芯片，其独特的设计和先进的技术使其在保护电池免受损害的同时，还具有低功耗、小尺寸等优点，非常适合应用于便携式电子产品的电池保护系统中。