半导体存储器原理实验

《半导体存储器原理实验》是计算机组成原理课程中一项重要的实践环节，旨在深入理解半导体存储器的工作机制和使用方法。实验主要围绕静态RAM（SRAM）6116芯片进行，该芯片具有2048个8位存储单元，但由于地址端A8-A10接地，实际可用存储容量为256字节。 实验方案中，采用8位的74LS273作为地址寄存器（AR），其输出端连接到6116的地址线A7-A0，通过地址存储器提供存储单元的地址。数据开关作为输入设备，通过三态门74LS245与数据总线交互，用于设定地址和数据。同时，实验设置了地址显示灯和数据显示灯，以便实时查看操作过程。 在控制信号方面，关键有CE（片选）、OE（读命令）和WE（写信号）。当CE为低电平时，RAM被选中，允许读/写操作；反之，当CE为高电平，RAM处于非选中状态，无法执行读/写。OE信号固定接地，这意味着在CE=0且WE=1时，执行写操作；而当CE=0且WE=0时，则执行读操作。LDAR信号控制地址寄存器AR的存数。 实验步骤包括： 1. 将数据开关设置为00000000。 2. 写地址操作，设置SW-B为0，LDAR为1，CE为1，根据需要调整WE。 3. 写内容操作，SW-B保持为0，LDAR设为0，CE设为0，WE设为1，按下START启动。 4. 读内容操作，先写地址，然后将SW-B设为1，LDAR设为0，CE设为0，WE设为0，无需START脉冲。 5. 逐一读取并验证地址单元的内容。 实验结果显示，存储器的操作遵循先写地址，再写内容，最后读取内容的顺序。这确保了数据的正确存储和读取。实验过程中需要注意线缆的正确连接，防止数据错误，并强调预习和实验操作时的细心与耐心。 思考选择题的答案没有给出，但它们可能涉及半导体存储器的相关概念和技术，例如存储器类型、访问时间、地址线数量以及控制信号的作用等。 半导体存储器原理实验通过实际操作，使学生掌握了SRAM的基本工作原理和操作流程，强化了对计算机存储体系的理解，为后续的硬件设计和系统开发奠定了基础。