BICMOS 工艺常用器件
BICMOS 工艺即是将 Bipolar 工艺与 CMOS 工艺相结合的一种综合工艺，它具有双极工艺高跨
导、强负载驱动能力和 CMOS 器件高集成度、低功耗的优点。一般 BICMOS 工艺还可以分为两类：
一是以 CMOS 工艺为基础的 BICMOS 工艺，包括 P 阱 BICMOS 和 N 阱 BICMOS 两种工艺；另一
类是以标准双极工艺为基础的 BICMOS 工艺，其中包括 P 阱 BICMOS 和双阱 BICMOS。影响
BICMOS 器件性能的主要是双极部分，因此以双极工艺为基础的 BICMOS 工艺用的较多。下面简
要介绍以双极工艺为基础的双阱 BICMOS 工艺的器件结构。
一、 MOS 管
如图（1）以双极工艺为基础的双阱 BICMOS 工艺下的 MOS 管结构：P 沟器件做在 N 阱中，
N 沟器件做在 P 阱中。该工艺采用 PN 结对通隔离技术，有 N＋及 P＋双埋层结构，并采用薄外延
层来实现器件的高截止频率和窄隔离宽度。其中 NMOS 管的源漏与 NPN 管的发射区和横向 PNP
管及纵向 PNP 管的基区接触扩散同时进行。PMOS 管的源漏区扩散与 NPN 的基区扩散，横向 PNP
管的集电区、发射区扩散，纵向 PNP 管的发射区扩散同时完成。MOS 管的工作原理与 CMOS 工艺
下的管子一样。
