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集成电路设计

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集成电路常用器件介绍

一、 CMOS 工艺下器件：

CMOS 工艺可分为 P 阱 CMOS、N 阱 CMOS 和双阱 CMOS。以 NWELL 工艺为例说明 CMOS 中常用

有源及无源器件的器件结构、工作原理、特性参数等。建议在此之前先了解 CMOS 的基本工艺。

1.1 有源器件

1. MOS 管采用 N 阱工艺制作的 PMOS 与 NMOS 结构示意图如图（1.1-1），在衬底为轻掺杂 P

-

的

材料上，扩散两个重掺杂的 N+区就构成了 N 沟器件，两个 N+区即源漏，中间为沟道。中间区域的表面上

有以薄层介质材料二氧化硅将栅极（多晶硅）与硅隔离开。同样， P 沟器件是在衬底为轻掺杂的 N

-

的材料

（即 N 阱或 NWELL）上，扩散两个重掺杂的 P+区形成的。

图（1.1-1）

图中的 B 端是指衬底，采用 N 阱工艺时，N 阱接最高电位 VDD，Psub 接 VSS。通常将 PMOS、NMOS 的

源极与衬底接在一起使用。这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是二氧化硅绝缘层，形成电容。当栅

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