MOS器件模型

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MOS器件模型

: 用于VIS模拟器的小尺寸MOS器件模型 经典教材：用于VIS模拟器的小尺寸MOS器件模型
评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：9.99MB 上传时间：2011-04-09

: 用于VLSI模拟的小尺寸MOS模型：理论与实践本书介绍了超大规模集成电路模拟中小尺寸MOS器件模型及模型参数的提取，书中从基本半导体器件物理和pn结理论入手，顺序介绍了MOS电容理论，不同的MOSFET模型（直流模型、动态模型、热载流子效应模型等），以及工业上...
评级：0 浏览量：599 收藏量：7 资源大小：56.83MB 上传时间：2015-01-27

: 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型
评级：0 浏览量：239 收藏量：1 资源大小：911KB 上传时间：2011-03-22

: MOS器件建模及仿真以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使人类社会已进入了信息化、网络化时代. 在全球信息化和经济全球化的进程中, 以通信、计算机、网络、家电为代表的信息技术和信息产业获得了迅猛发展，而...
评级：0 浏览量：1379 收藏量：7 资源大小：6.79MB 上传时间：2018-09-21

: LTSpice MOS 模型建立 LTSpice MOS 模型建立 LTSpice 是一种广泛应用的电子电路仿真软件，在设计和分析 MOS 电路时，需要建立 MOS 模型。MOS 模型是指用于描述 MOSFET 的电气特性的数学模型。根据模型的复杂度和精度，可以将其分为一级、...
评级：5 浏览量：3548 收藏量：7 资源大小：50KB 上传时间：2017-08-30

: CH2 MOS 器件基础物理 1. MOS结构 2. MOS的I/V特性 2.1MOS的阈值电压Vth、 2.2 I/V特性的推导 3.二阶效应 3.1体效应、 3.2 亚阈值效应、 3.3 沟道调制效应 4. 小信号模型 5.MOS器件电容
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：896KB 上传时间：2020-08-07

: 开发技术-硬件-有机半导体MOS器件性质与模型的研究.zip 开发技术-硬件
评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：2.76MB 上传时间：2022-04-10

: MOS半导体器件原理 MOS器件的原理，设计，应用，版图，工艺，封装，测试
评级：1 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：34KB 上传时间：2011-04-03

: 电源技术中的集成电路中的MOS晶体管模型 MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米，栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中，...
评级：0 浏览量：224 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2020-12-09

: MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数 MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field ...
评级：0 浏览量：1979 收藏量：2 资源大小：106KB 上传时间：2020-08-15

: MOS管短沟道效应及其行为建模随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL2...
评级：0 浏览量：413 收藏量：2 资源大小：238KB 上传时间：2020-10-22

: 新型功率器件MCT关断模型的研究摘要：介绍了新型功率器件MCT（MOS控制晶闸管）的基本结构，工作原理。详细地探讨了MCT在关断情况下的建模，采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系，并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：177KB 上传时间：2021-02-03

: MOS管相关仿真实验报告1 MOS管相关仿真实验报告（必做加选做）电信1806 U201813405 吴叶赛一．MOS管共源放大电路仿真（基本要求）电路如右图所示，注意：1）设置静态工作
评级：0 浏览量：594 收藏量：0 资源大小：701KB 上传时间：2022-08-08

: 基本模型理论（Kees Doets）Basic Model Theory (Kees Doets) 如标题所示，这本书向读者介绍了模型理论的基础。它的一个特殊功能是它使用Ehrenfeucht游戏，读者可以通过该游戏熟悉模型世界。
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：2.86MB 上传时间：2019-10-27

: 采用智能功率器件从容应对冲击电流在汽车的各类控制模块的中，特别是在车身电子控制模块中，车灯在...本文以英飞凌公司的智能PROFETBTS5020-2EKA_DS20为例，详细解释了灯泡在冲击电流的物理模型，进而给出了如何在设计中计算冲击电流下验证器件的安全。
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：520KB 上传时间：2020-10-22

: 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究，得到较为完整的可靠性数据，并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿，从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有...
评级：0 浏览量：149 收藏量：0 资源大小：209KB 上传时间：2020-10-19

: 基于智能功率器件的冲击电流问题解决方案在汽车的各类控制模块的中，特别是在车身电子控制模块中，车灯在...本文以英飞凌公司的智能PROFETBTS5020-2EKA_DS20为例，详细解释了灯泡在冲击电流的物理模型，进而给出了如何在设计中计算冲击电流下验证器件的安全。
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：542KB 上传时间：2020-10-25

: 第2章（课件）VLSI特征尺寸缩小2004年9月15日.pdf 第2章（课件）VLSI特征尺寸缩小2004年9月15日;
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：543KB 上传时间：2019-12-17

: MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型 (2007年) 在超深亚微米MOs器件中,量子效应对器件特性的影响很大根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOs器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOs器件的阂值...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：141KB 上传时间：2021-06-14

: MOSFET栅漏电流噪声分析栅漏电流大的MOS器件噪声特性的研究仍是现今研究中活跃的课题。尤其当MOS-FET缩减至直接隧穿尺度(<3nm)时，栅漏电流噪声模型显得尤为重要，并可为MOSFET可靠性表征和器件设计提供依据。文中基于MOSFET栅氧击穿...
评级：0 浏览量：301 收藏量：0 资源大小：153KB 上传时间：2020-10-20

: 小尺寸器件栅隧穿电流预测模型 (2011年) 针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影 ...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：179KB 上传时间：2021-05-15

: saber下MOSFET驱动仿真实例设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC ...
评级：0 浏览量：795 收藏量：5 资源大小：164KB 上传时间：2020-10-22

: D-PAK封装TO封装SOT封装晶体管二极管三极管MOS管3D模型封装库（STEP后缀）.zip D-PAK封装TO封装SOT封装晶体管二极管三极管MOS管3D模型封装库（STEP后缀）： D-PAK Diode-SMA.SLDPRT Diode-SMD-1206.SLDPRT SOT-223-DEFAULT.SLDPRT SOT封装 TO-92B.SLDPRT TO封装三极管二极管场效应管整流桥 ...
评级：5 浏览量：215 收藏量：0 资源大小：6.21MB 上传时间：2021-12-08

: 关于MOSFET的双峰效应量化评估研究介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度...建立了MOS的Vt和Punch-through的粒子注入有效浓度和双峰效应的相互关系模型。它们之间的相互关系与现存的理论一致。
评级：0 浏览量：157 收藏量：2 资源大小：253KB 上传时间：2020-10-20

: 具有滞回特性的直流固态继电器设计提出一种新型的直流固态继电器设计方案。为了使继电器具有滞回特性，采用在控制电路中引入正反馈回路的方法来实现继电器的导通电压和截止电压分离，防止临界抖动的现象发生。同时继电器输出不受负载的影响，输入、...
评级：0 浏览量：185 收藏量：0 资源大小：260KB 上传时间：2020-10-22

: mos的spice建模PPT学习教案.pptx 该模型考虑了各种二阶效应对MOS器件漏电流及阈值电压等特性的影响。 MOS2模型的电流方程为： ID = (KP/2) \* (VGS - VTH) \* VDS + ΔID 其中，ΔID为二阶效应对电流的影响。四、MOS2模型器件工作特性 MOS2...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：246KB 上传时间：2021-10-07

: 包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的Pspice模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。...
评级：0 浏览量：261 收藏量：1 资源大小：422KB 上传时间：2020-10-23

: 基于IGBT的固态脉冲调制器设计应用新型功率开关器件IGBT替代电真空器件，设计了单片机控制的固态脉冲调制器。克服了雷达脉冲调制器中广泛采用的电真空器件的局限性。Simulink仿真结果表明，调制波形及功率完全满足雷达的战术技术指标。得出了所...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：258KB 上传时间：2020-10-20

: ESD MOS Devices 主要讲解了ESD静电保护器件的模型及原理，可以通过该资料对ESD器件有初步的了解
评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：704KB 上传时间：2018-12-14

: 针对HEV/EV市场的IGBT模块仿真工具Ansoft 功率逆变器在动力集成系统中至关重要，通常由6个4×6英寸封装的IGBT模块组成。这些IGBT模块通过快速地切换数百安培电流的通断向电动机输出交流电，控制电子系统及其它系统。
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：127KB 上传时间：2020-10-22

: 二极管三极管和MOS管PPT课件.pptx 本资源摘要信息主要讲解了两种基本的半导体器件：二极管和MOS管。下面是对应的知识点总结： 1. 半导体的基本概念：半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料，具有共价键结构。半导体可以是本征半导体，也可以是...
评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：986KB 上传时间：2021-10-11

: 集成PMOS管变容特性分析与仿真建模为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真，在分析MOS变容管特性的基础上，通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0．35μm这个特定的工艺库，并...
评级：0 浏览量：505 收藏量：0 资源大小：218KB 上传时间：2020-10-21

: 电源技术中的英飞凌推出新一代MOSFET节能器件英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS:registered: 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和...
评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：62KB 上传时间：2020-11-30

: Silvaco器件仿真PPT教案.pptx 3.对半导体工艺仿真及器件仿真中所用到的模型加以了解。4.利用工艺器件仿真软件，培养和锻炼学生的实践能力。 Silvaco器件仿真PPT教案.pptx是专业的器件仿真教学PPT，涵盖了半导体仿真概述、半导体器件仿真软件使用...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：3.37MB 上传时间：2021-10-02

: 半导体器件模拟仿真PPT教案.pptx 课程内容包括半导体仿真概述、半导体器件仿真软件使用、Diode 器件仿真、BJT 器件仿真、半导体工艺仿真软件使用、MOS 工艺及器件仿真、总结与复习等七个部分。一、半导体仿真概述半导体仿真是指使用数学模型和...
评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：3.37MB 上传时间：2021-10-03

: 继电器产品设计方案的多层次模糊综合评价方法研究本文在确定继电器产品评价指标体系的基础上，应用模糊理论，建立了产品设计方案的多目标多层次综合评价模型。该模型可对评价指标体系的各级子目标和总目标予以评价，从而使设计人员能够针对设计方案的不足之处进行...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：261KB 上传时间：2020-10-24

: 分析MOSFET功耗产生机制，提高同步整流效率隔离式电源转换器的次级整流产生的严重的二极管正向损耗是主要的损耗。因此，只有利用同步整流（SR），才可能将开关电源（SMPS...本文分析了SRMOSFET的关断过程，并且提出了一个用于计算功耗以优化系统能效的简单模型。
评级：0 浏览量：128 收藏量：0 资源大小：331KB 上传时间：2020-10-20

: 混合动力汽车功率模块的功率损耗计算和热仿真在电力电子系统中，功率半导体模块温度及温度波动对可靠性有较大的影响。为此，基于功率半导体模块的功率损耗计算和热仿真模型。开发了一个程序来计算整个行驶循环期间的温度。
评级：0 浏览量：272 收藏量：2 资源大小：472KB 上传时间：2020-10-22

: 基于总线技术的分布式板上MOS管老化系统设计 (2012年) 由于MOS管是浅结系列器件,极有可能在产品的生产流程中遭到静电击穿或半击穿而损坏.为保证产品的可靠性,设计了一款基于总线技术的分布式板上MOS管老化系统.该系统模拟实际负载对产品中的多路MOS管的承载能力进行巡检...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：852KB 上传时间：2021-06-01

: 模电MOS电路PPT学习教案.pptx MOS电路是基于Metal-Oxide-Semiconductor（金属氧化物半导体）技术制造的电子元器件。MOS电路具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等特点。尤其在大规模和超大规模...
评级：0 浏览量：28 收藏量：0 资源大小：1.11MB 上传时间：2021-10-05

: 射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术基于射频(RF) MOS管的等效电路及非线性等效模型，采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD)，对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析。在此基础上，针对栅源电容(Cgs)、跨导(gm)、输出导纳(gds)和...
评级：0 浏览量：428 收藏量：1 资源大小：706KB 上传时间：2020-10-17

: 半导体器件模拟仿真PPT学习教案.pptx * 半导体物理学、半导体器件物理学、MOS、BJT、Diode、功率器件等集成电路工艺技术简单的电路基础。六、学习半导体器件模拟仿真的目标 * 掌握模拟仿真软件的使用，对半导体器件的特性进行模拟和分析。 * 具体学习...
评级：0 浏览量：23 收藏量：0 资源大小：3.37MB 上传时间：2021-10-03

: MOS模拟集成电路的基本单元电路PPT课件.pptx 本资源是关于MOS模拟集成电路的基本单元电路PPT课件，共41页，涵盖了MOS场效应管的基本特点、模型、偏置电路和基本放大电路等内容。 MOS场效应管的基本特点 MOS场效应管是一种电压控制器件，输入电阻极高，一般...
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: 元器件应用中的理解功率MOSFET的RDS（ON）温度系数特性但是，当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响，以及各个晶胞单元等效电路模型，就会发现，上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立，而在开关转化的瞬态过程中，上述理论并不成立，...
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: ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质，使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中，碳化硅MOSFET正在取代标准硅器件。半导体技术要想发展必须解决可靠性...
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: 横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前...
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