理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自

理解功率管MOSFET的RDS

本资源主要通过讲解MOSFET管的RDS的温度特性，纠正对MOS管的一些认识上误区

功率 MOSFET的等效电路

功率 MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路，稳态特性总结；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路；功率 MOSFET的开通和关断过程原理；因二极管反向恢复引起的 MOSFET开关波形；功

功率mosfet教程

众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率M

电源技术中的分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，

元器件应用中的IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MO

元器件应用中的MOSFET管并联应用

MOSFET 管并联工作时,需要考虑两个问题: 　　1) 满载时,并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡. 　　2) 通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡. 　　在并联工作的情况下,无论是静态还

元器件应用中的意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N

意法半导体(ST)推出了新系列功率MOSFET的第一款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD1

元器件应用中的意法推出通态电阻最低仅650V的全新功率MOSFET

意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的6

元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSF

元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9

意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSF

元器件应用中的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184简介

FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMO

元器件应用中的ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效

意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSF

元器件应用中的Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)

MOSFET系列资料.doc

MOSFET系列资料doc,众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本

元器件应用中的ST推出采用新STripFET技术的功率MOSFET系列产品

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的

元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。

元器件应用中的飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度

日前，飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提

元器件应用中的IR推出适合CPU电源应用的30V DirectFET MOSFET系列

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET M

电源技术中的安森美拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件

安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服

元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ

安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950

元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005

安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950

元器件应用中的安森美半导体集成肖特基二极管的30V MOSFET问世

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。 　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF

元器件应用中的IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..

国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容

元器件应用中的Microsemi 推出具业界最低导通电阻的MOSFET系列

领先的高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi 日前宣布扩展其COOLMOS:trade_mark: FREDFET和Server 系列，进一步推出在业界同类产品中具有

元器件应用中的飞兆推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电

元器件应用中的Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封装的低导通电阻大电流MOSFET

东芝美国电子元器件公司（TAEC）近日推出Toshiba公司的TSON Advance MOSFET封装，采用薄的、紧凑型3.3mmx3.3mmx0.9mm封装, 提供高功率。相对于广泛使用5.0mm

电源技术中的安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件

—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率

元器件应用中的飞兆半导体采用Power 56封装的MOSFET器件

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56

元器件应用中的飞兆扩充其低压MOSFET产品系列 推出11款新型器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优