LDMOS，功率放大器

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LDMOS，功率放大器

: LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计 LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计
评级：0 浏览量：9 收藏量：0 资源大小：1.96MB 上传时间：2024-05-06

: LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计摘要：针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计，提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后，利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为：在频率范围为1. 3 GH z~ 2....
评级：0 浏览量：345 收藏量：6 资源大小：721KB 上传时间：2021-01-20

: LDMOS功率放大器的温补电路设计.pdf LDMOS管是专为射频功率放大器设计的改进型n沟道M0SFET，常工作在AB类，在工作点附近具有正的温度特性，即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流IDo升高；当工作温度降低时，IDo降低。一般地，当LDMOS管热沉...
评级：0 浏览量：582 收藏量：2 资源大小：2.83MB 上传时间：2019-07-23

: LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计 LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化，在LDMOS场效应管自热效应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计。实验结果验证了偏置电路的仿真设计方法的有效性。
评级：0 浏览量：97 收藏量：1 资源大小：323KB 上传时间：2011-09-02

: AB类LDMOS基站大功率放大器设计采用LDMOS晶体管设计了一款工作频段在2.11~2.17 GHz的AB类功率放大器，完成了匹配电路的设计，在工作频段内S11<-10 dB，S21>18.7 dB，最大线性输出功率P1dB> 51 dBm，其相应的漏极效率在59%以上；从P1dB点...
评级：0 浏览量：213 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-01-27

: 模拟技术中的LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计摘要：针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计，提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后，利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为：在频率范围为1. 3 GH z~ 2....
评级：0 浏览量：271 收藏量：0 资源大小：562KB 上传时间：2020-10-21

: 基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器 而通过选择合适的功率放大器晶体管并设计合适放大器的偏置电路和开关控制信号，完全可以满足国家提出的标准，甚 ...
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：157KB 上传时间：2020-10-19

: LDMOS微波功率放大器分析与设计 LDMOS微波功率放大器分析与设计，指导设计高功率放大器
评级：0 浏览量：157 收藏量：0 资源大小：271KB 上传时间：2010-08-23

: 模拟技术中的宽带功率放大器的设计摘要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计，频率范围从700 MHz～1．1 GHz。前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有...
评级：0 浏览量：476 收藏量：1 资源大小：214KB 上传时间：2020-11-11

: LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计 (2011年) 针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计，提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后，利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为：在频率范围为1.3 GHz～2.3 GHz内，两...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：291KB 上传时间：2021-05-20

: 基于ADS高效率微波功率放大器设计基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络，设计出高效率功率放大器。ADS设计仿真表明该功率放大器在中心...
评级：0 浏览量：468 收藏量：3 资源大小：1.22MB 上传时间：2021-04-16

: 全固态电视发射机功率放大器维修近年来，许多电视发射台已完成全固态发相继开发出横向扩散金属氧化半导体硅场效应断其好坏。电阻法是维射机替代电子管发射机的更新换代工作。...固态高功率放大器通常由输入单元、输出单元、功放模块、微处理器监
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：428KB 上传时间：2021-01-20

: 数字电视发射机中功率放大器的设计用最新的LDMOS FET器件，采用平衡放大电路结构?熏设计数字电视发射机中的功率放大器。工作频段在470MHz～860MHz，整个频带内增益在12dB左右，工作在线性状态，交调抑制小于－35dB。
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：94KB 上传时间：2020-07-30

: 一种快速有效的宽带功率放大器匹配电路设计与实现针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计，提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后，利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为：在频率范围为1. 3 GH z~ 2. 3 GH z...
评级：0 浏览量：267 收藏量：2 资源大小：283KB 上传时间：2020-07-12

: 基于ADuC7026实现功率放大器监控的参考设计本文介绍了一个基于ADuC7026实现功率放大器监控的参考设计，功能包括设置输出功率、监测电压驻波比(VSWR)、监测横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管的漏极电流和温度，并在某个参数超过预定的阈值时发出报警...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：429KB 上传时间：2020-10-19

: 基于ADuC7026的功率放大器监控的参考设计方案本文介绍了一个基于ADuC7026实现功率放大器监控的参考设计，功能包括设置输出功率、监测电压驻波比(VSWR)、监测横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管的漏极电流和温度，并在某个参数超过预定的阈值时发出报警...
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：338KB 上传时间：2020-10-19

: 采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱动器。在0.9到3.6GHz的工作频率范围内，该芯片...　现代无线手持通信无线电（包括射频（RF）功率放大器（PA）在内）均是在深亚微米
评级：0 浏览量：116 收藏量：0 资源大小：219KB 上传时间：2021-01-19

: 基于ADS平台不对称Doherty功率放大器的仿真设计采用MRF6S21140H LDMOS晶体管，通过优化载波放大器和峰值放大器的栅极偏置电压改善三阶互调失真（IMD3），同时通过调节输入功率分配比例改善由于峰值放大器对载波放大器牵引不足导致的失配问题，从而改善不对称...
评级：0 浏览量：326 收藏量：1 资源大小：190KB 上传时间：2021-01-20

: 电子维修中的全固态电视发射机功率放大器维修近年来，许多电视发射台已完成全固态发相继开发出横向扩散金属氧化半导体硅场效应断其好坏。电阻法是维射机替代电子管发射机的更新换代工作。...固态高功率放大器通常由输入单元、输出单元、功放模块、微处理器监
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：322KB 上传时间：2020-10-21

: 论文研究-LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究 .pdf LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究，王胜军，鲍景富，本文介绍了射频功率放大器的电-热记忆效应和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET）；通过MET LDMOS模型，对晶体管的静��
评级：0 浏览量：213 收藏量：2 资源大小：460KB 上传时间：2019-08-18

: RFID技术中的采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱动器。在0.9到3.6GHz的工作频率范围内，该芯片在9V的...　现代无线手持通信无线电（包括射频（RF）功率放大器（PA）在内）均是在
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：236KB 上传时间：2020-10-20

: 通信与网络中的飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能飞思卡尔半导体推出7款性能卓越的LDMOS RF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。　Doherty架构迅速成为行业标准，提供非常出色的效率，但也为设计带来挑战，因为同时...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2020-11-29

: CMOS功率放大器技术优化单芯片手机方案设计一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本优势和线性调制。但CMOS固有的规模经济驱使业界一直对其...
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：132KB 上传时间：2021-01-20

: 非对称功率输入Doherty功率放大器研究与设计采用飞思卡尔公司的MRF6S27015N LDMOS工艺晶体管，设计了一种采用offset line可变功率输入的非对称Doherty功率放大器。只需通过调整offset line就可调整输入功率比，便于使系统调整到最合适的输入功率比值。
评级：0 浏览量：167 收藏量：0 资源大小：98KB 上传时间：2020-07-31

: PTFA212401E 240W WCDMA功率放大方案 Infineon 公司的PTFA212401E和PTFA212401F是 240W LDMOS FET,设计用于单/双载波WCDMA功率放大器.典型工作电压30V,工作频率为2140MHz,双载波WCDMA的平均输出功率为47.0dBm,线性增益可达15.8dB,效率为28%.互扰失真为-...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：204KB 上传时间：2020-10-25

: 数字电视发射机中功率放大器的选取本文采用最新的ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ器件，及平衡放大电路结构熏设计数字电视发射机中的驱动级功率放大器，经过优化和调试，满足系统要求。
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：192KB 上传时间：2020-08-08

: 模拟技术中的用于射频功率放大器的数字电位器在过去，为射频功率放大器设定偏压条件的设计技术要求采用一种不可靠的机械电位器或者一种通常要采用8位D/A变换器的笨拙的解决方案。机械电位器方案是极其不可靠的，并搅乱了可靠性和平均故障间隔时间（MTBF）的设计...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：97KB 上传时间：2020-12-08

: 论文研究-基于LDMOS器件的F类功率放大器设计 .pdf 基于LDMOS器件的F类功率放大器设计，伊晓萌，曹建文，本文设计了一种工作在1.8GHz的F类功率放大器，使用LDMOS晶体管作为有源器件以便产生高功率和高效率。F类放大器通过对不同的谐波进行��
评级：0 浏览量：224 收藏量：2 资源大小：359KB 上传时间：2019-08-20

: 宽带功率放大器的设计摘要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计，频率范围从700 MHz～1．1 GHz。前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有...
评级：0 浏览量：209 收藏量：0 资源大小：447KB 上传时间：2009-09-02

: PTFA212401E 功率放大方案设计 Infineon 公司的PTFA212401E和PTFA212401F是 240W LDMOS FET,设计用于单/双载波WCDMA功率放大器。典型工作电压30V,工作频率为2140MHz,双载波WCDMA的平均输出功率为47.0dBm,线性增益可达15.8dB,效率为28%.互扰失真为-...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：212KB 上传时间：2021-01-20

: 模拟技术中的基于ADS平台不对称Doherty功率放大器的仿真设计采用MRF6S21140H LDMOS晶体管，通过优化载波放大器和峰值放大器的栅极偏置电压改善三阶互调失真（IMD3），同时通过调节输入功率分配比例改善由于峰值放大器对载波放大器牵引不足导致的失配问题，从而改善不对称...
评级：0 浏览量：275 收藏量：0 资源大小：168KB 上传时间：2020-10-21

: 基于射频功率放大器驱动器的无线系统设计这使得CMOS驱动器能够直接连接并驱动LDMOS和GaN等功率晶体管。该驱动器的最大导通电阻为4.6Ω。2.4GHz时所测量的占空比控制范围为30.7%到71.5%.通过使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作...
评级：0 浏览量：101 收藏量：0 资源大小：87KB 上传时间：2020-10-17

: 模拟技术中的数字电视发射机中功率放大器的设计熏设计数字电视发射机中的功率放大器。工作频段在470MHz～860MHz，整个频带内增益在12dB左右，工作在线性状态，交调抑制小于－35dB。关键词：功率放大器 匹配增益数字电视地面广播技术采用数字压缩技术，在同样...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：101KB 上传时间：2020-12-10

: 数字电视发射及中功率放大器的设计数字电视发射及中功率放大器的设计、电子技术,开发板制作交流
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：182KB 上传时间：2021-02-03

: 飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET 飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。...当用于28 V的终放大器应用上时，在输出功率为35 dBm的 2010 MHz 到2025 MHz的频率范围内，能够提供28
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2021-01-19

: 北斗功率放大器的温度补偿电路设计-电路设计-设计.pdf 北斗功率放大器的温度补偿电路设计北斗功率放大器作为北斗用户...本设计提出了一个针对 LDMOS 的温度补偿电路，解决了功率放大器的温度补偿问题，提高了功率放大器的性能和可靠性，对北斗用户机的性能有着重要影响。
评级：0 浏览量：22 收藏量：0 资源大小：330KB 上传时间：2023-11-10

: 通信与网络中的2.5G和3G基站用功率放大器的监控例如，通过监控基站功率放大器的性能，可以把功率放大器(PA)的输出功率最大化，同时获得最佳线性度和效率。幸运的是，采用为此目的量身定做的分立式集成电路(IC)，就可以很简单地监控PA的输出电平。　无线基站在...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：186KB 上传时间：2020-11-18

: 模拟技术中的在单芯片手机方案中采用CMOS功率放大器一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本优势和线性调制。但CMOS固有的规模经济驱使业界一直对其...
评级：0 浏览量：126 收藏量：0 资源大小：104KB 上传时间：2020-11-12

: 模拟技术中的CMOS功率放大器技术优化单芯片手机方案设计一直有这种说法：诸如砷化镓(GaAs)、横向扩散MOS(LDMOS)或硅锗(SiGe)双极CMOS(BiCMOS)等特殊工艺以不太精尖的几何精度就可提供制造商和设计师所需的短期成本优势和线性调制。但CMOS固有的规模经济驱使业界一直对其...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：108KB 上传时间：2020-11-07

: GaN on SiC功率放大器，全球前9强生产商排名及市场份额分析报告.pdf 最后，报告还对 GaN on SiC 功率放大器行业的发展趋势进行了分析，包括与 GaAs 和硅基 LDMOS 射频器件相比，GaN on SiC 射频器件的优势、高频性能提升等。本报告对 GaN on SiC 功率放大器市场进行了深入分析，为...
评级：0 浏览量：12 收藏量：0 资源大小：250KB 上传时间：2024-01-18

: TriQuint新增用于无线基站的35个LDMOS RF功率管这些丰富的器件产品为制造商的功率放大器设计提供高性能、具成本竞争力的解决方案。　TriQuint新的RF功率管产品线包括之前由Peak Device公司销售的产品，这家位于美国科罗拉多州的公司已被TriQuint半导体公司于...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：66KB 上传时间：2021-01-19

: 飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出功率的LDMOS射频功率晶体管。...部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，终使放大器成本全面降低。这种晶体
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2021-01-19

: RFID技术中的飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET 飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。...当用于28 V的最终放大器应用上时，在输出功率为35 dBm的 2010 MHz 到2025 MHz的频率范围内，能够提供
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2020-11-30

: RFID技术中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。...部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
评级：0 浏览量：169 收藏量：0 资源大小：62KB 上传时间：2020-12-04

: ADS2016设计MRF8P9040N功率放大器学习设计功率放大器需要参考徐兴福老师著《ADS2011射频电路设计与仿真实例》，书中是用飞思卡尔的LDMOS功率管MRF8P9040N设计放大器，随着ADS版本的更新，ADS2016不能调出MRF8P9040N进行仿真设计。这里提供了适合2016...
评级：0 浏览量：2264 收藏量：14 资源大小：3.78MB 上传时间：2018-03-01

: 元器件应用中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K... 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。...部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：60KB 上传时间：2020-12-03

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