MA5680T+MA5620G_下载资源_代码源码-CSDN下载

MA5680T+MA5620G开局（删繁就简，拿着脚本就可以开设备了） MA5680T+MA5620G开局脚本，花了3个小时给新同事总结的啊，希望对大家工作有帮助，分是多了点不过保证是值得的，为通讯人加油。

评级：4 浏览量：515 收藏量：3 资源大小：3KB 上传时间：2010-05-02

GPON(MA5600T+MA5620G)FTTx业务开局指导书 gpon 是一种采用光纤介入的宽带用户，这个资料主要是讲解了通过OLT GPON5680T和ONU MA5620接入的开局命令

评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：323KB 上传时间：2010-04-28

MA5680T&MA5683T;_调测和配置指南(V800R008C05_01) 前言...................................................................................................................................................ii 1 调测..........................................

评级：5 浏览量：1219 收藏量：1 资源大小：6.18MB 上传时间：2019-03-27

MA5680T GPON开局及业务开通配置脚本区常用B类（如MA5626G）ONU设备，而A类（如HG813）设备无法下发管理VLAN和地址，A类配置脚本详见附件文本。 2. 流量模板可重新进行定义和配置，引用时只需引用index编号即可。 3. SNMP配置脚本详见附件文本。 4. ...

评级：0 浏览量：835 收藏量：2 资源大小：76KB 上传时间：2017-11-14

MA5680T 产品华为MA5680T汇聚接入一体：超高汇聚交换能力，3.2T背板容量，960G交换容量，512K MAC地址容量；超高密度级联能力，单框最大768个GE端口，无需额外投资汇聚交换机；超高可靠组网能力，可直连BRAS，支持OLT双机热备份...

评级：0 浏览量：134 收藏量：1 资源大小：1.79MB 上传时间：2011-12-14

M1MA142WKT1G的技术参数产品型号:M1MA142WKT1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):－正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr(ns):3类型:双共阴极开关管封装/温度(℃):...

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-11

M1MA141WAT1G的技术参数产品型号:M1MA141WAT1G最小反向电压VR(V):40最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):－正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr(ns):3类型:单开关管封装/温度(℃):SOT323/...

评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：25KB 上传时间：2020-12-11

NTE4151PT1G的技术参数产品型号:NTE4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-89/-55 ~150描述:-20 V, -760 mA,功率MOSFET价格/1片(套):￥1.20

评级：0 浏览量：130 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-11

MMQA6V8T1G的技术参数产品型号:MMQA6V8T1G雪崩电压VBRmin(V):6.460雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.140IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):100峰值反向工作电压VRWM(V):4.300最大反向浪涌电流Ipp(A):2.450最大反向电压(钳位电压)...

评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：27KB 上传时间：2020-12-10

MMSZ6V8T1G的技术参数产品型号:MMSZ6V8T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大功率PMax(W):0.500芯片标识:V2封装/温度(℃):SOD123/-65~150价格/1...

评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：25KB 上传时间：2020-12-11

NTE4153NT1G的技术参数产品型号:NTE4153NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):230最大漏极电流Id(on)(A):0.915通道极性:N沟道封装/温度(℃):SC-89/-55 ~150描述:20 V,915 mA,功率MOSFET价格/1片(套):￥1.20

评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-11

MM5Z6V8T1G的技术参数产品型号:MM5Z6V8T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):160最大功率PMax(W):0.100芯片标识:0F封装/温度(℃):SOD523/-65~150价格/...

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stm32F407ZGT6 fft代码适配启明欣欣的stm32f407单片机的fft代码，同样适用于所有stm32f407系列。

评级：0 浏览量：97 收藏量：2 资源大小：16.85MB 上传时间：2023-08-09

MMBT6429LT1G的技术参数 MMBT6429LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):1250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):3SOT-...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-11

MMBT3906WT1G的技术参数 MMBT3906WT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):3SOT-...

评级：0 浏览量：172 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-11

MMBT4401LT1G的技术参数 MMBT4401LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200封装/温度(℃):3SOT-...

评级：0 浏览量：495 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-11

MMUN2211LT1G的技术参数产品型号:MMUN2211LT1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:A6A封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.20

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SL05T1G的技术参数产品型号:SL05T1G雪崩电压VBR Min.(V):6雪崩电压VBR Nom.(V):－雪崩电压VBR Max.(V):8IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA):20最大反向电压(钳位电压)VC(V):11最大反向浪涌电流Ipp(A):17典型电容...

评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：27KB 上传时间：2020-12-10

MMBT5551LT1G的技术参数 MMBT5551LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):160集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):80直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－封装/温度(℃):3SOT-...

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NUD3112LT1G的技术参数产品型号:NUD3112LT1G漏源电压VBR MAX（V）:14漏电流IC（mA）:500功耗EZ（mj）:50封装/温度(℃):SOT-23/-40~85描述:12V继电器电感负载驱动器价格/1片(套):￥1.40

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PZT651T1G的技术参数产品型号:PZT651T1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):75直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):75封装/温度(℃):SOT-223/...

评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-10

MMBTA06LT1G的技术参数产品型号:MMBTA06LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):3SOT-...

评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：26KB 上传时间：2020-12-10

MMBT5088LT1G的技术参数产品型号:MMBT5088LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):50直流电流增益hFE最小值(dB):300直流电流增益hFE最大值(dB):900最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):5封装/温度(℃):SOT-23...

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MMBT6428LT1G的技术参数 MMBT6428LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):250直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):3SOT-...

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PZT2907AT1G的技术参数产品型号:PZT2907AT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200封装/温度(℃):SOT-...

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MMBT3904TT1G的技术参数 MMBT3904TT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):3SOT-...

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BCP68T1G的技术参数 BCP68T1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):85直流电流增益hFE最大值(dB):375最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):60(Typ)封装/温度(℃):SOT-223/?...

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MMBTA93LT1G的技术参数产品型号:MMBTA93LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):200集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):3SOT-...

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MMBTA55LT1G的技术参数产品型号:MMBTA55LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):3SOT-...

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MMBT489LT1G的技术参数 MMBT489LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):300直流电流增益hFE最大值(dB):900最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):3SOT-...

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BCW33LT1G的技术参数产品型号:BCW33LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):20集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增益hFE最大值(dB):800最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):－封装/温度(℃):SOT-23/...

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MMBT8099LT1G的技术参数 MMBT8099LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):150封装/温度(℃):SOT-...

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NSS30100LT1G的技术参数产品型号:NSS30100LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):2A直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):SOT-...

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MUN5214T1G的技术参数产品型号:MUN5214T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:8D封装/温度(℃):SOT-323/-55~150价格/1片(套):暂无

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MMBT3904LT1G的技术参数 MMBT3904LT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):3SOT-...

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MMBT5087LT1G的技术参数产品型号:MMBT5087LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):50直流电流增益hFE最小值(dB):250直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40封装/温度(℃):3SOT-...

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PZT2222AT1G的技术参数产品型号:PZT2222AT1G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):SOT-...

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BCP69T1G的技术参数产品型号:BCP69T1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):85直流电流增益hFE最大值(dB):375最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):60封装/温度(℃):SOT-223/...

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NUD3160LT1G的技术参数产品型号:NUD3160LT1G漏源电压VBR MAX（V）:70漏电流IC（mA）:-功耗EZ（mj）:200封装/温度(℃):Sot-23/-40~125描述:工业感性负载驱动器价格/1片(套):暂无

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MMBTA92LT1G的技术参数产品型号:MMBTA92LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):300集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50封装/温度(℃):3SOT-...

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MMBTA64LT1G的技术参数 MMBTA64LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):300直流电流增益hFE最小值(dB):20000直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):125封装/温度(℃):3SOT-...

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MMBT3906LT1G的技术参数 MMBT3906LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):3SOT-...

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MUR820G的技术参数产品型号:MUR820G峰值反向电压VRRM(V):200最大平均正向电流IO(A):8最大全周期正向压降VF(V):0.975最大非重复浪涌电流IFSM(A):100最大反向电流IR(mA):0.250封装/温度(℃):TO-220AC/-65~175价格/1片(套):￥3.90

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MMBT4403LT1G的技术参数 MMBT4403LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200封装/温度(℃):3SOT-...

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MMUN2114LT1G的技术参数产品型号:MMUN2114LT1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:A6D封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.20

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MDC3105LT1G的技术参数产品型号:MDC3105LT1G漏源电压VBR MAX（V）:6漏电流IC（mA）:500功耗EZ（mj）:50封装/温度(℃):3SOT23/-40~85描述:集成继电器电感负载驱动器价格/1片(套):￥1.40

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BZX84C27LT1G的技术参数产品型号:BZX84C27LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.900@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率PMax(W):0.225芯片标识:Y10封装/温度(℃):SOT-23/-65~150价格...

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NCS2502SNT1G的技术参数产品型号:NCS2502SNT1G工作电压Min.(V):1.8,±0.9工作电压Max.(V):10,±5.0带宽GBW(典型值)(MHz):110转换速率(典型值)(V/us):230输入失调电压(25℃,Max.)(mV):8输入偏置电流(Max.)(nA):3.0A最大工作电流ID(mA):0.650...

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NTZD3155CT1G的技术参数产品型号:NTZD3155CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):400最大漏极电流Id(on)(A):0.540通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150描述:20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD...

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MC78LC50HT1G的技术参数产品型号:MC78LC50HT1G输出电压(V):5输出电流最大值(mA):80输入偏置电流(mA)典型值:0.001输入电压最大值(V):12保护过流热关断:Yes封装/温度(℃):3SOT-89/-40~85描述:三端正固定电压的稳压器价格/1片(套):￥3.60

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