MMBT3906LT1G的技术参数

产品型号:MMBT3906LT1G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.20   MMBT3906LT1G是一款常见的PNP型晶体管，广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关电路以及电源管理等。其技术参数是衡量其性能的关键指标，以下将详细介绍这些参数： 1. **类型**：PNP集电极-发射极结构 这表明MMBT3906LT1G是一种PNP型双极性晶体管，其中P型半导体材料在N型材料之间形成两个结，即基区-发射区和基区-集电区。这种结构使得电流可以从发射极流向集电极，并通过控制基极电流来调节。 2. **最小雪崩电压Vceo(V)**：40V 雪崩电压是指晶体管在工作时能承受的最大反向击穿电压，不导致内部损坏。40V的Vceo意味着在集电极与发射极之间施加的电压不应超过这个值，以确保安全运行。 3. **集电极最大电流Ic(max)(mA)**：200mA 这是晶体管在正常工作条件下，集电极可以连续通过的最大电流。如果超过这个值，可能会导致过热或器件损坏。因此，设计电路时应确保不超过这个限制。 4. **直流电流增益hFE最小值(dB)**：100 直流电流增益hFE是衡量晶体管放大能力的一个参数，表示基极电流变化1单位时，集电极电流的变化量。100dB意味着即使基极电流有微小变化，集电极电流也会有显著增加，这有助于提高电路的放大效果。 5. **直流电流增益hFE最大值(dB)**：300 hFE的最大值提供了晶体管在不同工作条件下的放大能力范围，确保了在一定范围内晶体管的稳定性和一致性。 6. **最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)**：300MHz Ft是电流增益带宽乘积，表示晶体管在高频下仍能保持一定增益的能力。300MHz的Ft意味着MMBT3906LT1G适用于较高频率的信号处理，但并不是特别适合极高频应用。 7. **封装/温度(℃)**：3SOT-23，-55°C~150°C 3SOT-23是一种小型表面贴装封装，占用空间小，适合于紧凑的电路板布局。工作温度范围从-55°C到150°C，表明该器件能在较宽的环境温度范围内正常工作。 8. **价格/1片(套)**：￥.20 每片MMBT3906LT1G的价格为￥.20，这在经济性上使得它成为广泛应用的理想选择。 MMBT3906LT1G凭借其PNP结构、良好的电流增益、较高的电流和电压承受能力以及适中的高频性能，成为了许多电子设计的首选组件。不过，实际应用中，还需要根据具体电路需求和工作条件来选择合适的参数。