光电探测器

光电探测器频率响应 光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的，调制频率高于光电探测器频率响应的入射光信号将不能被正确探测出。频率响应是光电探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，表征了光电探测器...

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光电探测器理论基础 光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的一类光电子器件。为了探测入射光，人们需要先将光信号转化为与入射光强度成比例的电信号以方便测量。例如，在光纤通信系统中，人们将需要传输的语音图像等数据信息调制成...

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光电探测器基本结构 如图1（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以...

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光电探测器结构示意图 四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配，并且其禁带宽度所对应的光谱吸收...

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GaN PIN光电探测器结构 PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在...

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光学系统与光电探测器 后者多用于摄取目标的图像，要求将整幅图像或用扫描方法把图像传输到探测器上，把图像的像素顺序转换成光电信号。 　光学系统的基本特性有：数值孔径（NA）或相对孔径（D／f′）；线视场或视场

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光电探测器响应度随波长变化曲线 在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度，在没有偏压下响应度为14.8 mA/W，相应...

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光电探测器阵列CCD摄像器件 CCD型摄像器件包括三个部分：进行光电转换的光电探测器阵列部分、移位寄存器电荷转移部分、MOSFET源跟随输出部分。光电转换部分利用普通PN二极管就可实现，其中重要的、也是CCD区别于其他摄像器件的部分是移位寄存器...

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GaN基肖特基结构紫外光电探测器 相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，...

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空间调制光电探测器 一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测器（Spatially-Modulated-Light Detector）结构被提出[57]，如图1（a）所示。由N+扩散和N阱形成六个叉指探测区域，N+...

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光电探测器特性测量实验-实验报告1 1. 用汞灯定标：通过光栅单色仪观察汞灯，调节光栅单色仪的旋钮直至观察到汞灯的波长为436 nm（紫色）和546 nm 2. 连接仪器：将白光光源、调制盘、光栅

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基于III-V族半导体材料的光电探测器 半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子ˉ空穴对，在适当内电场作用流子的漂移，欧姆接触收集载流子。半导体...

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四象限光电探测器的设计方案 四象限光电探测器实际由四个光电探测器构成，每个探测器一个象限，目标光信号经光学系统后在四象限光电探测器上成像，如图1。一般将四象限光电探测器置于光学系统焦平面上或稍离开焦平面。当目标成像不在光轴上时，...

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雪崩光电探测器结构和能带 在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是早出现的InGaAsP/...

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显示/光电技术中的雪崩光电探测器结构和能带 在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/...

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光电APD探测器 为了能探测到微弱的入射光，我们希望光电探测器具有内部增益，即少量的光生载流子在倍增电场作用下能产生较大的光生电流。雪崩光电二极管就是这样一种光电探测器，它是一种具有内部增益、能将探测到的光电流进行放大...

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各种光电探测器的性能比较和应用选择 （1）各种光电探测器的性能比较 　在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为；在灵敏度方面，...

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显示/光电技术中的光电探测器结构示意图 四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配，并且其禁带宽度所对应的光谱吸收...

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光电探测器异质结 图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV）...

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工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，...

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工艺下集成光电探测器 集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。 　图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 　图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电...

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显示/光电技术中的光电探测器频率响应 光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的，调制频率高于光电探测器频率响应的入射光信号将不能被正确探测出。频率响应是光电探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，表征了光电探测器...

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闭环温度控制的APD光电探测器设计 针对微弱光信号探测系统中雪崩光电二极管（APD）在工作中的温漂特性,提出了一种适合...试验表明：该系统中APD光电探测器温度控制精度为±0.1℃,输出电压波动约为±0.5 m V,很好地抑制了外界温度变化对APD增益的影响。

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光电探测器阵列摄像器件的像素基本结构 将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探测器阵列上的光学图像信息以电信号形式按时序串行输出。常见的固体摄像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide ...

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电子测量中的半导体光电探测器的发展及应用 为此，发展了谐振腔增强型（RCE）光电探测器、金属半导体-金属行波光电探测器，以及分离吸收梯度电荷和信增（SAGCM）雪崩光电探测器（APD）等。 　谐振腔增强型(RCE)光电探测器 　现代高性能的光通信、信号处理和...

评级：0 浏览量：244 收藏量：1 资源大小：103KB 上传时间：2020-11-22

显示/光电技术中的工艺下集成光电探测器 集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。 　图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 　图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电...

评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-11-13

显示/光电技术中的GaN PIN光电探测器结构 PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在...

评级：0 浏览量：170 收藏量：1 资源大小：75KB 上传时间：2020-11-14

钙钛矿光电探测器的研究进展 钙钛矿材料因其可调带隙工程、高吸收系数、长程平衡载流子传输距离等光学、...总结了钙钛矿光电探测器在柔性、窄带探测、自驱动及阵列化等特殊性能方面所取得的研究进展, 并对钙钛矿光电探测器的发展前景进行了展望。

评级：5 浏览量：300 收藏量：2 资源大小：9.8MB 上传时间：2021-02-03

显示/光电技术中的光电探测器基本结构 如图1（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以...

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光电探测器原理.docx 光电探测器原理.docx

评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：155KB 上传时间：2021-09-27

集成光电探测器彩色传感器 图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。...我们假设硅对蓝色光的吸收深度小于d1，这样，当入射光功率相同时，两个探测器产生的光电流也将是完全一样的。而对于波长较长红光来说，其吸收

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极灵敏的高速光电探测器 极灵敏的高速光电探测器是美国休斯公司科学家为微波光纤通讯线路而制作的关键元件。这种元件是砷化镓肖特基势垒型光电探测器。他们的演示表明，该元件至少在20 GHz频率范围有平坦响应，并且可达到亳米波范围。这种...

评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：604KB 上传时间：2021-02-08

高精度光电探测器的线性测量 介绍了一种高精度的光电探测器线性测量系统,讨论了线性测量的方法,确定以光束叠加法为线性测量系统的基础。设计了测量系统,以944 nm激光器为光源,测量了Si陷阱探测器和InGaAs陷阱探测器的非线性因子。实验结果表明,...

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光电PIN探测器 尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350～500＇C温度下生长在GaSb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂P型，较高的温度用来生长N型，′通过用掺碲和掺锗的方法来...

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显示/光电技术中的光电探测器阵列摄像器件的像素基本结构 将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探测器阵列上的光学图像信息以电信号形式按时序串行输出。常见的固体摄像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide ...

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崖层对单行载流子光电探测器的影响研究 分析了崖层在单行载流子光电探测器（UTC-PD）中的作用，以及其对UTC-PD的3 dB带宽的影响。研究结果表明，崖层使得异质结处电场强度增加，且电场向吸收区延伸，使电子在吸收区的渡越时间和积累程度降低，从而导致3 dB...

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显示/光电技术中的光电探测器性能的参数 其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小，频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢，噪声和探测度表征了光电探测器所能探测到最小的入射光能量。 　欢迎转载，信息来源维库电子市场网...

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一文看懂汽车激光源和光电探测器的选择 据麦姆斯咨询报道，激光雷达（LiDAR）与其它传感器技术（摄像头、雷达和超声波）的相互竞争增加了对传感器融合的需求，同时也要求对光电探测器、光源和MEMS微镜的仔细甄选。随着传感器技术、成像技术、雷达、LiDAR、...

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太阳盲MgZnO光电探测器 太阳盲MgZnO光电探测器

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论文研究-InGaAs PIN光电探测器响应度测量系统的设计分析 .pdf InGaAs PIN光电探测器响应度测量系统的设计分析，邱洁，任建华，本文给出了一种对已经制作完成的InGaAs PIN光电探测器光谱响应特性测量的方法；光响应度是光电探测器的一个重要性能指标，我们通过��

评级：0 浏览量：201 收藏量：1 资源大小：367KB 上传时间：2019-08-21

86.rar_光源_光电探测器_荧光 文介绍了运用荧光猝灭原理，通过软件Labview编程，对原理的数据处理中运用到的相关法进行图形化编译；并用无焊面包板制作光源的驱动电路和光电探测器的放大电路

评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：208KB 上传时间：2022-07-14

解析新型量子光电探测器的读出与显示 目前工业、医疗、天文和军事对近红外探测和成像有大量需求，本文介绍了一种响应近红外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光电探测器。

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：293KB 上传时间：2020-08-30

电子测量中的各种光电探测器的性能比较和应用选择 （1）各种光电探测器的性能比较 　在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为最好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为最好；在灵敏...

评级：0 浏览量：425 收藏量：0 资源大小：64KB 上传时间：2020-11-13

新型量子光电探测器读出与显示 摘要：对一种响应近红外的新型量子光电探测器特性进行测试和分析，给出了2×8探测器阵列和读出电路的对接测试结果，设计初步的成像系统采集显示焦平面输出。探测器有一个-0.8V的阈值电压，偏压大于阈值电压后器件...

评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：265KB 上传时间：2021-01-19

非对称金电极对实现高响应的自供电ZnO MSM紫外光电探测器 非对称金电极对实现高响应的自供电ZnO MSM紫外光电探测器

评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：661KB 上传时间：2021-03-14

用于核医学成像的硅光电倍增管光电探测器的研究进展-谢肇恒.pdf 来源于《中国医疗设备》期刊文章2016年第9期，关键词：SiPM,雪崩光电二极管，互补金属氧化物半导体，读出专用集成电路，正电子发射断层扫描。

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：2.48MB 上传时间：2022-11-01

一种新型谐振腔增强型光电探测器的性能分析 通过理论探讨和实验仿真，分析了一种新型谐振腔增强型光电探测器RCEP（Resonant Cavity Enhanced Photodetector）的结构及性能，该RCEP的基本结构是将吸收层插入到谐振腔当中，并指出这种新型器件较传统器件可获得较...

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石墨烯红外光电探测器研究进展 红外光电探测器是将入射的不可见的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。红外光电探测器在多个行业均有广泛用途。近年来，石墨烯由于具有从紫外至远红外的宽光谱吸收特性、室温下超高的载流子迁移率、良好的机械柔韧...

评级：0 浏览量：122 收藏量：1 资源大小：6.16MB 上传时间：2021-02-12

硅基IV 族光电器件研究进展（二）——光电探测器 介绍了中国科学院半导体研究所在相关硅基IV 族合金材料外延制备及相关器件方面的研究，重点介绍在硅基Ge 面入射探测器、波导型探测器、吸收电荷倍增分离型(SACM)结构雪崩光电探测器以及GeSn 光电探测器方面的一些...

评级：0 浏览量：173 收藏量：1 资源大小：5.48MB 上传时间：2021-02-05