InGaAs

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InGaAs

: InGaAs焦平面相机使用说明书 InGaAs焦平面相机使用说明书，有助于相机的使用和二次开发。
评级：0 浏览量：207 收藏量：0 资源大小：1.8MB 上传时间：2018-03-21

: InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管（APD），并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计，省略了保护环等结构；并使用双层掺杂，有效降低了增益区电场的梯度变化。由于...
评级：0 浏览量：682 收藏量：0 资源大小：1.33MB 上传时间：2021-02-13

: 基于InGaAs探测器的日光条件光子计数实验介绍了基于InGaAs单光子探测器的日光条件测距实验，通过压缩激光接收视场、使用超窄带滤光片、结合超快主动淬灭电路等降低InGaAs单光子探测器死时间的方法，成功地进行了基于InGaAs单光子探测器的日光条件光子计数...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：2.55MB 上传时间：2021-02-12

: 平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用采用晶格匹配的平面型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器。通过I-V测试、扫描电容显微技术(SCM)测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系。通过设计...
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：1.31MB 上传时间：2021-04-29

: 用于高速量子密码系统的1.25 GHz InGaAs/InP单光子探测器的研制报道了一种基于正弦门控与滤波技术的InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)高速单光子探测器，门控频率达到1.25 GHz。在探测效率为10.3%时，暗计数概率为1.3×10-6/gate，后脉冲概率为5.6×10-5/ns。这种高速单光子探测器将...
评级：0 浏览量：116 收藏量：0 资源大小：1.61MB 上传时间：2021-02-09

: 论文研究-MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点 .pdf MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点，周清，刘珂，用分子束外延（MBE）设备以Stranski?Krastanov (S-K) 生长模式，通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点，首次获得��
评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：773KB 上传时间：2019-08-15

: 不同铟掺杂浓度的InGaAs弹性特性的第一性原理研究不同铟掺杂浓度的InGaAs弹性特性的第一性原理研究
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：197KB 上传时间：2021-02-24

: 用InGaAs/InP APD的红外单光子探测技术由于在量子信息技术特别是量子密钥分配系统中的应用,以InGaAs/InP雪崩二极管为基础的红外单光子探测技术,近年来成为研究的热点之一。主要介绍了单光子探测用InGaAs/InP APD的选择和实现红外单光子探测器的关键技术:...
评级：0 浏览量：156 收藏量：0 资源大小：344KB 上传时间：2021-02-12

: 新型热原子层刻蚀技术制造创纪录性能的极小型 InGaAs FinFET.zip-综合文档新型热原子层刻蚀技术制造创纪录性能的极小型 InGaAs FinFET.zip
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: InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽下,输出峰值功率达到730 W(77 A...
评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：863KB 上传时间：2021-02-11

: 高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入0.20%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)的过程中,只需调节...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：582KB 上传时间：2021-03-05

: InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49 μm，在腔长为2000 μm时，最低阈值电流密度为0.30 kA/cm...
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：1.19MB 上传时间：2021-03-05

: InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变...
评级：0 浏览量：106 收藏量：0 资源大小：1.07MB 上传时间：2021-02-11

: 具有p型倍增层的InGaAs APD的低工作电压和小增益斜率具有p型倍增层的InGaAs APD的低工作电压和小增益斜率
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：384KB 上传时间：2021-03-28

: InGaAs / GaAsSb超晶格结构的生长机理和光学性质我们对GaAsSb生长的研究成功地产生了高质量的InGaAs / GaAsSb II型超晶格，该晶格的光学特性通过在不同激发功率和温度下的光致发光来表征。观察到了发光峰值能量随激发功率的蓝移，并通过非平衡载流子密度模型进行...
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：712KB 上传时间：2021-03-17

: MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析，讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光...
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：1.58MB 上传时间：2021-02-05

: InGaAs/AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200 A/cm2。在250 Κ到400 Κ范围内, 激光器表现出很好的激射阈值...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-02-08

: InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：640KB 上传时间：2021-03-05

: 近红外InGaAs探测器的优化与分析近红外InGaAs探测器的优化与分析
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：1.13MB 上传时间：2021-03-20

: InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器的优化设计针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器, 给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55 μm的无应变激光器, 最佳的光限制层波长为1.24 μm, 厚度为100 nm。当阱材料引入压缩应变后.由于价带...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：1.01MB 上传时间：2021-02-11

: 论文研究-InGaAs PIN光电探测器响应度测量系统的设计分析 .pdf InGaAs PIN光电探测器响应度测量系统的设计分析，邱洁，任建华，本文给出了一种对已经制作完成的InGaAs PIN光电探测器光谱响应特性测量的方法；光响应度是光电探测器的一个重要性能指标，我们通过��
评级：0 浏览量：197 收藏量：1 资源大小：367KB 上传时间：2019-08-21

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评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：16KB 上传时间：2018-11-28

: 不同发光层的InGaAs光电阴极的光谱响应不同发光层的InGaAs光电阴极的光谱响应
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: MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点* (2013年) 通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点，首次获得大小及密度可调的In0．43Ga0．57As／GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAS、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60...
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: 论文研究-基于0.15um InGaAs pHEMT的超宽带MMIC中等功率放大器研究 .pdf 基于0.15um InGaAs pHEMT的超宽带MMIC中等功率放大器研究，唐松，邵振海，本文介绍了一个工作在17~43GHz频段的四级单片集成中等功率放大器，采用0.15um栅宽pHEMT工艺，在整个频段达到了25±3dB的增益以及22dBm的输�...
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: InGaAs / InP单光子探测器在1550 nm处的分析 InGaAs / InP单光子探测器在1550 nm处的分析
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