中子辐照

GB∕T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照.pdf GB∕T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照.pdf

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蓝宝石中子辐照色心的研究 研究了中子辐照对蓝宝石(α-Al2O3)单晶体缺陷形成及光学性能的影响,对采用提拉法与温度梯度法生长的蓝宝石晶体进行中子辐照,通过对比辐照前后的吸收及荧光光谱变化,发现辐照使得蓝宝石晶体内形成F、F+和F+2色心缺陷,...

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钛宝石中子辐照色心的研究 研究了中子辐照下钛宝石单晶体缺陷的形成及光学性能的变化。对温度梯度法(TGT)生长的钛宝石晶体进行中子辐照,中子能量为1.5 MeV,剂量为4.32×1016 neutrons/cm2。辐照后194 nm吸收峰强度增加,268 nm吸收峰强度则降低...

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中子辐照αSiO2薄膜.pdf 中子辐照αSiO2薄膜.pdf

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IEC 60749-17-2003第 17 部分：中子辐照.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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星系中子辐照量分布函数 (2010年) 先引入随时间t变化的星系中子辐照量分布函数ρgal(t，τ)描述各演化阶段星系s-过程核素丰度的分布规律.利用星系化学演化的三成分模型导出星系中子辐照量分布函数的演化方程，从而建立星系的中子辐照量分布函数IDgal...

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6H-SiC单晶的中子辐照损伤及其退火特性研究 结果表明：中子辐照产生的大量缺陷使SiC的光吸收明显增加；光学带隙能随辐照剂量的增加而降低，这与禁带中引入的局域态缺陷能级有关。光吸收边出现强烈的连续吸收可能归因于辐照产生的不同类型缺陷簇或局部非晶区域...

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AGB星中子辐照量分布的特点 (2009年) 根据13C辐射燃烧的低质量AGB(asymptotic giant branch)星s-过程核合成模型，考察氦壳层核合成区域中子辐照量分布(简称DNE)的特点．结果表明，辐射s-过程核合成模型的DNE，即ρAGB(τ)，与重叠因子r、核合成区域的...

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IEC 60749-44-2016第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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塑料闪烁光纤在高能中子辐照下质子分布特性的数值模拟 利用Geant4系统模拟了在高能中子照射下，塑料闪烁光纤中产生的反冲质子的分布特性，分析了入射中子能量分别为2，4，6，8 MeV时，产生的反冲质子能量和方向分布，给出了反冲质子在不同方向上的能量分布。结果表明：...

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【中文英文对照】 IEC 60749-17-2003第 17 部分：中子辐照.rar 【中文英文对照】 IEC 60749-17-2003第 17 部分：中子辐照.rar

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利用电子顺磁共振对掺Mn刚玉晶体中子辐照变价的研究* (1996年) 测量并对比了掺Mn刚玉晶体在中子辐照及退火处理前后的电子顺磁共振（EPR）谱，结合紫外-可见光吸收谱的...实验结果还表明，中子辐照可在晶体内形成Mn2+与F-心的复合体，但退火后则有一部分转化为MnZ+与F心的复合体。

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快中子辐照自蜡虫种虫促进白蜡增产的研究 (1991年) 报道了1986年快中子辐照白蜡虫种虫促进白蜡增产的试验结果．试验表明用1.2×106/cm2、3×105n/cm2两个最佳通量进行辐照，分别增产白蜡32.53％及18.25％，用1×109n/cm2辐照不仅不会杀死虫卵而且也增产产19.84%．

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【中文英文对照】 IEC 60749-44-2016第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验.rar 【中文英文对照】 IEC 60749-44-2016第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验.rar

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中子辐照单晶硅与激光退火制备SOI结构的研究 A semiconductor on semiinsulator (SOI) structure was obtained in which the insulator substrate is neutron-irradiated silicon, then annealed with CW Ar+ or Q switched Nd; YAG laser, semiconductor layer...

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闪烁纤维高能中子辐射效应的数值模拟 在这个论文使用GEANT4 Monte Car10仿真工具获得了高能下PSF的辐射效应中子辐照。 模拟中使用了圣戈班公司生产的塑料纤维材料BCF-20。 纤维由聚苯乙烯的芯闪烁材料和丙烯酸外覆层组成。 入射中子产生能量通过中子...

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中子掺杂硅单晶旋转辐照模型的分析 (1984年) 本文提出的中子掺杂硅单晶旋转辐照模型，给出了热中子通量在硅断面上的分布．平均值和不均匀度。这些结果表明，在理想辐照条件下，用中子掺杂可以得到磷的均匀掺杂。说明了实现理想辐照条件的方法。文中提出的研究...

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中子、电子及γ辐照装置行业(2021-2026)企业市场突围战略分析与建议.docx 中子、电子及γ辐照装置行业(2021-2026)企业市场突围战略分析与建议.docx

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高温氘离子辐照对低活化钢微观结构的影响* (2014年) 在聚变堆环境下,材料不仅会受到高能中子辐照而且氘氚也可能进入材料中.为了研究氘离子以及辐照对低活化钢的微观结构的影响,采用 CLAM钢(一种 RAFM钢)和FeCr模型合金,在500 ℃下进行58 keV氘离子辐照,利用高分辨透射...

评级：0 浏览量：40 收藏量：0 资源大小：1.18MB 上传时间：2021-05-31

天然锗纳米晶的制备与中子擅变掺杂研究 (2011年) 采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品．...薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光．

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关于用Ra-Be中子源、~(60)Coγ源、~(147)Pmβ源以小剂量辐照桑蚕卵的研究 (1980年) 用Ra―Be中子源、~(60)Coγ源及~(147)Pmβ源以0.1,0.36,1.0,5.4,10.5,19,及40拉德8种小剂量,照射丙_2、己_1、己_2及己_4 4个胚期,用统计方法对同一条件下孵化饲养的生态表现进行了处理。结果表明,三龄和四龄蚕重明显...

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：526KB 上传时间：2021-06-01

硼/金刚石复合结构中子探测器研究进展 硼/金刚石复合结构中子探测器研究进展，任兵，黄健，金刚石基核辐射探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点，在辐射探测领域有着巨大的潜力。10B有极大的

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用于CMS II期像素升级的辐照薄硅传感器的特性 新像素检测器的最内层将暴露于严重的辐射，相当于1 MeV中子当量注量的最大eq = 2×1016 cm -2，电离剂量为≥5MGy 3000 fb -1的综合光度。 薄的平面硅传感器是此应用的理想选择，因为遍历粒子所产生的信号的降级不如...

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IEC 60749-28-2022第 28 部分：静电放电（ESD）敏感度试验 带电器件模型（CDM）器件级.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-43-2017第 43 部分：集成电路可靠性认证计划指南.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-41-2020第 41 部分：非易失性存储器的标准可靠性试验方法.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-40：2011第 40 部分：基于应变仪的板面液滴试验方法.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-42-2014第 42 部分：温湿度贮存 .rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-37 -2022 (REDLINE )-2022第 37 部分：基于加速度计的板面液滴测试方法.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-38-2008第 38 部分：带存储器的半导体器件软误差测试方法.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-39-2021第 39 部分：半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-35 -2006第 35 部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-34-2010第 34 部分：功率循环.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-36-2003第 36 部分：恒定加速度.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-33-2004第 33 部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-31-2002第 31 部分：塑封器件的易燃性(内部引起的);.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-32-2010第 32 部分：塑封器件的易燃性(外部引起的);.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-29-2011第 29 部分：闩锁试验.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-30-2011第 30 部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-30-2020第 30 部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-26-2018第 26 部分：静电放电( ESD )敏感度测试 人体模型( HBM ).rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-27-2012第 27 部分：静电放电( ESD )敏感度测试 机器模型( MM ).rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-23-2011第 23 部分：高温工作寿命;.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-24-2004第 24 部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验（HSAT）.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-25-2003第 25 部分：温度循环.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-20-2020第 20 部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-21-2011-第 21 部分：可焊性.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-22-2002第 22 部分：键合强度.rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-20-1-2020第 20-1 部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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IEC 60749-18-2002第 18 部分：电离辐射(总剂量).rar 半导体器件 机械和气候试验方法 （英文） ———第 1 部分：总则; ———第 2 部分：低气压; ———第 3 部分：外部目检; ———第 4 部分：强加速稳态...———第 44 部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验

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