同质外延

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: 6H-SiC同质外延层上Si 用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy...
评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：726KB 上传时间：2021-02-10

: 硼掺杂金刚石薄膜同质外延生长及肖特基势垒二极管制备采用微波等离子体气相沉积(MPCVD)在商用3 mm×3 mm×1 mm高温高压合成(HPHT)Ib型(100) 金刚石衬底上同质外延生长B掺杂金刚石薄膜，并在此材料的基础上用磁控溅射和电子束蒸镀技术制备了不同结构参数金刚石肖特基势垒...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：2.87MB 上传时间：2021-02-07

: 用于LED的GaN衬底和GaN同质外延：进展和挑战用于LED的GaN衬底和GaN同质外延：进展和挑战
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：959KB 上传时间：2021-03-13

: 偏4°4HSiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究利用水平热壁CVD方法，基于SiH4C3H8H2生长系统在n型4HSiC偏4°衬底上进行同质外延生长。通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman)，对外延层中的新形貌三角形缺陷——顶端有倒金字塔...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：1.82MB 上传时间：2021-02-21

: 凹槽形Cu衬底上同质外延生长的分子动力学模拟 (2011年) 应用分子动力学方法模拟在刻有不同“深/宽”且截面为矩形凹槽的 Cu衬底上进行同质外延生长的过程。原子间采用嵌入原子方法(EAM)模型。模拟结果表明,凹槽的“深/宽”及沉积粒子的入射能对晶界倾角θ和 V→/V↑产生...
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：1.41MB 上传时间：2021-04-27

: 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展.pdf 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展.pdf
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：3.31MB 上传时间：2021-08-29

: 论文研究-Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备，宋庆文，张玉明，基于水平式低压热壁化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition- CVD）生长系统，采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法，成功的在N型4H-...
评级：0 浏览量：148 收藏量：0 资源大小：786KB 上传时间：2019-08-23

: 外延工艺原理 §2.1 外延技术概述 1.5学时课程内容： 1 外延分类 1.1 由外延材料的名称不同分类 1.2 由外延层材料与衬底材料相同否分类 1.2.1 同质外延 1.2.2 异质外延 1.3 由器件作在外延层上还是衬底上分类 1.3.1 正外延 1.3.2...
评级：0 浏览量：291 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2020-12-09

: 外延单片式激光二极管抽运被动调Q微激光器采用了在激光介质Nd3+:YAG表面直接液相外延生长一层具有饱和吸收特性的Cr4+:YAG膜的微谐振腔的结构, 由于是同质外延生长过程, 能够确保饱和吸收体与增益介质间(Nd3+:YAG/Cr4+:YAG)良好的界面特性。采用光纤耦合激光...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：558KB 上传时间：2021-02-11

: AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270 ℃, 比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300 ℃; 较为合适的C/Si...
评级：0 浏览量：140 收藏量：0 资源大小：1.09MB 上传时间：2021-02-10

: 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延.pdf 由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。这种方法的缺陷是高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要...
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: PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战氮化铝(AlN)具有超宽禁带...基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展。最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望。
评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：3.59MB 上传时间：2021-02-21

: 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，...
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: 氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径。本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展，并对未来可能的发展方向...
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: 利用NdBCO薄膜籽晶的过热特性熔融织构生长同质超导块材利用NdBCO薄膜籽晶的过热特性熔融织构生长同质超导块材，孙立杰，汤晨毅，在以前的文章中，我们曾报道过通过在熔融织构方法中使用具有过热特性的YBCO薄膜作为籽晶成功外延生长出了同质YBCO块材。在本篇文章
评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：317KB 上传时间：2020-02-24

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